Auto-organização induzida por processos de geração e recombinação ativados por campo elétrico em semicondutores em regime de não equilíbrio termodinâmico

Rero Marques Rubinger

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor1	Alfredo Gontijo de Oliveira	pt_BR
dc.contributor.advisor-co1	Geraldo Mathias Ribeiro	pt_BR
dc.contributor.advisor-co2	José Carlos Bezerra Filho	pt_BR
dc.contributor.referee1	Jose Marcos Andrade Figueiredo	pt_BR
dc.contributor.referee2	Elmo Salomão Alves	pt_BR
dc.contributor.referee3	Belita Koiller	pt_BR
dc.creator	Rero Marques Rubinger	pt_BR
dc.date.accessioned	2019-08-11T09:28:18Z	-
dc.date.available	2019-08-11T09:28:18Z	-
dc.date.issued	2000-05-25	pt_BR
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9GXPVE	-
dc.description.abstract	We have chosen to study semi-insulating semiconductors within the non-linear dynamics approach with the intention to observe and control chaotic current oscillations. We were able to identify doubling period bifurcation routes to chaos in high resistivity semiconductors with low frequency oscillations that presents positive Lyapunov exponents in the chaotic regime. For this we have grown semi-insulating GaAs samples by low temperature Molecular Beam Epitaxy (MBE) and GaAs:Cr samples by Liquid Encapsulated Czohralski (LEC). These samples were studied under strong applied electric fields, photoexcitation and variable temperature. During our work we identified a rich non-linear dynamics phenomenology associated with generation-recombination processes such as field enhanced trapping, recovery from the quenched state of the EL2 level and low frequency oscillations with doubling period routes to chaos.	pt_BR
dc.description.resumo	Nossa opção de realizar estudos em dinâmica não linear foi feita com o objetivo de observar e controlar rotas para o caos. Conseguimos observar rotas de bifurcação por duplicação de período em materiais semicondutores de alta resistividade no regime de oscilações de baixa freqüência, culminando em um regime de oscilações caóticas com expoentes de Lyapunov positivos. Para isso, amostras de GaAs semi-isolante crescidas por Molecular Beam Epitaxy (MBE) à baixas temperaturas e de GaAs:Cr crescidas por Liquid Encapsulated Czohralski (LEC) foram utilizadas para o estudo de propriedades físicas não lineares de condução elétrica na presença de campos elétricos intensos em condições de fotoexcitação e de temperatura variável. No desenvolvimento de nosso trabalho, uma rica fenomenologia de dinâmica não linear associada a fenômenos de geração e recombinação como ionização por impacto, field enhanced trapping, inibição e recuperação de photoquench do defeito EL2, oscilações de baixa freqüência e rotas para o caos pôde ser observada.	pt_BR
dc.language	Português	pt_BR
dc.publisher	Universidade Federal de Minas Gerais	pt_BR
dc.publisher.initials	UFMG	pt_BR
dc.rights	Acesso Aberto	pt_BR
dc.subject	Física	pt_BR
dc.subject.other	Semicondutores	pt_BR
dc.subject.other	Física	pt_BR
dc.title	Auto-organização induzida por processos de geração e recombinação ativados por campo elétrico em semicondutores em regime de não equilíbrio termodinâmico	pt_BR
dc.type	Tese de Doutorado	pt_BR
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