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Type: Tese de Doutorado
Title: Estudo de sistemas de chaveamento resistivo baseados em TiO2: SnO2 MoS2
Authors: Alejandro Cristians Rios Cuadros
First Advisor: Angelo Malachias de Souza
First Co-advisor: Luciano Andrey Montoro
First Referee: Daniel Cunha Elias
Second Referee: Mario Sergio de Carvalho Mazzoni
Third Referee: Ana Paula Moreira Barboza
metadata.dc.contributor.referee4: Jaqueline dos Santos Soares
Abstract: Nesta tese investigamos o fenômeno de chaveamento resistivo em dois sistemas distintos. O primeiro é o óxido de Ti (TiO2), um composto padrão usado em memórias resistivas, com propriedades bem conhecidas. Em busca de novas possibilidades, nanoparticulas de SnO2 foram inseridas na base do filme fino de TiO2, modificando o processo de formação do canal condutivo. Este canal pode ser descrito como uma trilha de óxido não-estequiometico, no qual a conductividade elétrica é favorecida em relação à outras regiões deste tipo de dispositivos. Canais condutivos são parcialmente reversíveis, alternando estado de alta e baixa resistência dependendo da polaridade e intensidade do campo elétrico aplicado. Mostramos de maneira não-ambígua neste trabalho que nanopartciulas de SnO2 podem guiar a formação de canais condutivos, sendo compatíveis com as tecnologias já desenvolvidas em dispositivo de TiO2. Um fenômeno semelhante é investigado em multicamadas de MoS2. Para este composto o chaveamento resitivo foi previamente observado em monocamadas. Nosso trabalho mostrou que é possível observar chaveamento resitivo unipolar aplicando-seum campo elétrico através das camadas (ao longo da direção de empilhamento). Medidas de microscopia de varredura por tunelamento mostram que as impurezas não tem um papel central na formação do canal condutivo, que não é estabelecido a baixas temperaturas (abaixo de 90k)
Abstract:  In this thesis we investigate resistive switching processes in two distinct systems: the firts is TiO2, a standard compound used for resistive memories, with well known properties. In order to search for new possibilities SnO2 nanoparticles were inserted at the bottom of a TiO2 thin film, modifying the processo f formation of a condutive channel. Such channel consists of a non-stoichiometric oxide trail, where electronic conduction is favored over other areas of these devices. Conductive channels are partially reversible, switching from high-resistance to low resistance states depending on the polarity and intensity of the applied electric field. We show here unambiguously that SnO2 nanoparticles can guide the formation of such channels, being compatible with the exisisting TiO2 technology. A similar phenomenon is also investigated in MoS2 multilayers. For such compound resitive switching was previously observed in single layers. In our work it was possible to find a unipolar switching for the application of electric field across the layers (in the stacking direction). Scanning tunneling microscopy measurements show that impurities do nottake a major role in the conductive channel formation, which do not form at low temperatures ( below 90K)
Subject: Microscopia eletrônica de varredura
Semicondutores
Materia condensada
Microscopia eletrônica de transmissão
language: Português
Publisher: Universidade Federal de Minas Gerais
Publisher Initials: UFMG
Rights: Acesso Aberto
URI: http://hdl.handle.net/1843/SMRA-BC6NL6
Issue Date: 29-Aug-2017
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