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Conjunto de itens:
Data do documento | Título | Autor(es) | Tipo |
---|---|---|---|
10-Abr-1997 | Pontos quânticos de InAs em GaAs crescidos usando Te como surfactante. | Gustavo de Almeida Magalhaes Safar | Tese de Doutorado |
9-Mar-1992 | A barreira Schottky na interface Al:nGaAs preparada por MBE | Vania Aguiar Moura | Dissertação de Mestrado |
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