Use este identificador para citar ou linkar para este item: http://hdl.handle.net/1843/IACO-6WLQHA
Tipo: Tese de Doutorado
Título: Estudo de nanoestruturas iônicas e semicondutoras por métodos de primeiros princípios
Autor(es): Ricardo Kagimura
Primeiro Orientador: Helio Chacham
Primeiro Coorientador: Ricardo Wagner Nunes
Primeiro membro da banca : Roberto Luiz Moreira
Segundo membro da banca: Mario Sergio de Carvalho Mazzoni
Terceiro membro da banca: Alex Antonelli
Resumo: Nesta tese, investigamos por métodos de primeiros princípios e tight binding, propriedades eletrônicas e estruturais de nanoestruturas iônicas e semicondutoras. Em nanoestruturas iônicas, estudamos a estabilidade energética do flúor intersticial, Fi¯ e da vacância do flúor, VF+, em super-redes de CaF2-BaF2. Além dessas nanoestruturas, investigamos possíveis estruturas de nanofios não-passivados de Si e de Ge com diâmetros variando entre 0,5 e 5,0nm. Consideramos nanofios não-passivados baseados na estrutura do diamante cúbico, em estruturas sólidas de altas densidades e em estruturas do tipo fulereno. Por fim, investigamos efeitos de passivação incompleta sobre propriedades eletrônicas de nanofios de Si, de Ge e de Si/Ge com superfícies passivadas com hidrogênio. Investigamos nanofios passivados com H com diâmetros entre 1,2 e 2,3nm, orientados ao longo das direções (110), (111) e (112) e com um simples defeito, vacância de H na superfície do nanofio, por uma célula unitária.
Assunto: Nanofios
Nanoestruturas semicondutoras
Semicondutores
Nanoestruturas iônicas
Física
Idioma: Português
Editor: Universidade Federal de Minas Gerais
Sigla da Instituição: UFMG
Tipo de Acesso: Acesso Aberto
URI: http://hdl.handle.net/1843/IACO-6WLQHA
Data do documento: 28-Mar-2006
Aparece nas coleções:Teses de Doutorado

Arquivos associados a este item:
Arquivo Descrição TamanhoFormato 
dout.pdf1.76 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir


Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.