Use este identificador para citar o ir al link de este elemento: http://hdl.handle.net/1843/64818
Tipo: Artigo de Periódico
Título: Analysis of the thermal properties of GaInAs quantum cascade lasers
Título(s) alternativo(s): Análisis de las propiedades térmicas de láseres de cascada cuántica de GaInAs
Autor(es): Omar Concepción Díaz
Arturo Abelenda García
Juan Carlos González Pérez
María Sánchez Colina
Resumen: A study of the temperature distribution of GaInAs/AlInAs quantum cascade lasers (QCLs) is presented. The heat conduction equation was solved using a finite-element method and a two-dimensional anisotropic heat-flow model. The thermal resistance (Rth) was calculated and compared with experimental results reported by other authors obtaining a good agreement. Comparison of heat dissipation in a double channel (DC) and buried heterostructure (BH) was performed analyzing the influence of the ridge height. The effect of materials used as: heat-sink, capping and insulation layer were evaluated. The results show that a DC-QCL with a deep-ridge waveguide, using: InP as top capping layer, Si3N4 as insulation layer, and graphene as heat-sink presents a better performance than a BH-QCL.
Abstract: Se presenta un estudio de la distribución de temperaturas en láseres de cascada cuántica (QCLs) de GaInAs/AlInAs. La ecuación de conducción del calor se resolvió por el método de los elementos finitos, utilizando un modelo anisotrópico y bidimensional del flujo de calor. Se calculó la resistencia térmica (Rth) y se comparó con resultados experimentales reportados por otros autores obteniéndose una buena concordancia. Se realiza una comparación entre las estructuras de doble canal (DC) y enterrada (BH), analizando la influencia de la altura del contacto. Se evaluó el efecto de los materiales usados como: disipador, capa de contacto y aislante. Los resultados muestran que un DC-QCL con un contacto profundo, usando: InP como capa de contacto superior, Si3N4 como óxido y grafeno como disipador tiene un mejor rendimiento que un BH-QCL.
Asunto: Análise térmica
Lasers semicondutores
Calor
Idioma: eng
País: Brasil
Editor: Universidade Federal de Minas Gerais
Sigla da Institución: UFMG
Departamento: ICX - DEPARTAMENTO DE FÍSICA
Tipo de acceso: Acesso Aberto
URI: http://hdl.handle.net/1843/64818
Fecha del documento: 2015
metadata.dc.url.externa: http://www.revistacubanadefisica.org/index.php/rcf/article/view/RCF_32-01_15_2015
metadata.dc.relation.ispartof: Revista Cubana de Física
Aparece en las colecciones:Artigo de Periódico

archivos asociados a este elemento:
archivo Descripción TamañoFormato 
ANALYSIS OF THE THERMAL PROPERTIES OF GaInAs QUANTUM.pdf257.31 kBAdobe PDFVisualizar/Abrir


Los elementos en el repositorio están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, salvo cuando es indicado lo contrario.