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Tipo: Dissertação
Título: Crescimento de monocamada de grafeno sobre o ródio(111)
Título(s) alternativo(s): Graphene monolayer growth on rhodium(111)
Autor(es): Mateus dos Santos Cardoso
primer Tutor: Edmar Avellar Soares
primer miembro del tribunal : Vagner Eustaquio de Carvalho
Segundo miembro del tribunal: Luis Eugenio Fernandez Outon
Tercer miembro del tribunal: Carlos Basílio Pinheiro
Resumen: Esta dissertação apresenta as etapas de preparação, caracterização e análise da interface grafeno/Rh(111), empregando as técnicas XPS, LEED, STM e ARPES. O trabalho foi realizado no sistema UHV da SPECS no Laboratório Nacional de Luz Síncrotron. O substrato de Rh(111) foi preparado com ciclos de sputtering e annealing, seguido pelo crescimento do grafeno, utilizando propeno sob condições controladas de temperatura e pressão. A qualidade da interface foi verificada pelas técnicas mencionadas. Os resultados de XPS mostraram dois picos no espectro do C 1s, indicando dois ambientes químicos distintos para os átomos de carbono, associados a diferentes interações com o substrato. Medidas LEED revelaram uma estrutura Moiré com periodicidade de 3,3 nm, corroborada por imagens STM de alta resolução, que evidenciaram variações estruturais na interface. As medidas em ARPES confirmou a presença do cone de Dirac próximo ao ponto K’ da zona de Brillouin, mostrando que o grafeno estava dopado. A velocidade de Fermi foi determinada a partir dos gráficos de dispersão linear do cone de Dirac. Os resultados demonstram que o grafeno cresce em uma estrutura tipo Moiré sobre o Rh(111), com interação química diferenciada entre o grafeno e o substrato. Este estudo contribui para a compreensão das propriedades eletrônicas e estruturais dessa interface.
Abstract: This dissertation presents the stages of preparation, characterization, and analysis of the graphene/Rh(111) interface, employing the techniques XPS, LEED, STM, and ARPES. The work was carried out in the SPECS UHV system at the Brazilian Synchrotron Light Laboratory (LNLS). The Rh(111) substrate was prepared through cycles of sputtering and annealing, followed by the growth of graphene using propene under controlled temperature and pressure conditions. The quality of the interface was verified using the aforementioned techniques. XPS results showed two peaks in the C 1s spectrum, indicating two distinct chemical en- vironments for the carbon atoms, associated with different interactions with the substrate. LEED measurements revealed a Moiré structure with a periodicity of 3.3 nm, corroborated by high-resolution STM images, which evidenced structural variations at the interface. ARPES measurements confirmed the presence of the Dirac cone near the K’ point of the Brillouin zone, indicating that the graphene was doped. The Fermi velocity was determined from the linear dispersion plots of the Dirac cone. The results demonstrate that graphene grows in a Moiré-type structure on Rh(111), with differentiated chemical interaction between the graphene and the substrate. This study contributes to the understanding of the electronic and structural properties of this interface.
Asunto: Grafeno
Difração de elétrons
Fotoemissão
Idioma: por
País: Brasil
Editor: Universidade Federal de Minas Gerais
Sigla da Institución: UFMG
Departamento: ICX - DEPARTAMENTO DE FÍSICA
Curso: Programa de Pós-Graduação em Física
Tipo de acceso: Acesso Aberto
URI: http://hdl.handle.net/1843/84200
Fecha del documento: 6-mar-2025
Aparece en las colecciones:Dissertações de Mestrado

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