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http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9UNJ6B
Tipo: | Dissertação de Mestrado |
Título: | Estudo de Grafeno mono e bi-camada sob deformação uniaxial por espalhamento Raman ressonante |
Autor(es): | Amanda Olinda Oliveira Coimbra |
primer Tutor: | Marcos Assuncao Pimenta |
primer Co-tutor: | Ariete Righi |
primer miembro del tribunal : | Bernardo Ruegger Almeida Neves |
Segundo miembro del tribunal: | Elena Del Corro García |
Resumen: | Nesta dissertação fizemos um estudo do efeito da deformação uniaxial nas propriedades eletrônicas e vibracionais do grafeno monocamada e bicamada através da técnica experimental de espectroscopia Raman Ressonante. A técnica de espalhamento Raman Ressonante consiste em incidir luz monocromática com diferentes comprimentos de onda sobre o material e analisar o espectro da luz retroespalhada, através do qual retiramos informação sobre os modos de vibração do material e sua estrutura eletrônica. Especialmente no caso do grafeno, devido ao formato da curva de dispersão eletrônica próximo do ponto K, o efeito Raman Ressonante fornece informação sobre a estrutura eletrônica do material perto do ponto de Dirac. No espectro Raman do grafeno analisamos a região das bandas G (1580 cm1) e G0 (2700 cm1), características dos materiais grafíticos. À medida que aplicamos tensão mecânica na amostra observamos o desdobramento da banda G e o comportamento dispersivo da banda G0 para diferentes energias do laser de excitação. Além disso obtivemos informação sobre como a inclinação da curva de dispersão eletrônica desse material varia com a deformação, que no caso do grafeno monocamada está relacionada com a velocidade de Fermi deste material. |
Abstract: | In this work we studied the effect of uniaxial strain on the eletronic and vibrational properties of monolayer and bilayer graphene using the experimental technique of Resonant Raman spectroscopy. The resonance Raman spectroscopy consists of sending a monochromatic light with differente wavelenghts on a material and analyze the spectrum of the backscattered light, obtaining information about the eletronic structure and vibrational properties of the material. Especially in the case of graphene, due to the shape of the dispersion curve close to the point e K, the Resonant Raman spectroscopy provides information about the electronic structure of the material near the Dirac point. In the Raman spectrum of graphene we analyze the region of the G (1580 cm1) and G0 (2700 cm1) bands characteristics of graphitic materials. As mechanical stress is applied in the sample, we observe the splitting of the G band and the dispersive behavior of the G0 band for different laser excitation energies. Besides that we obtained information about how the slope of the eletronic dispersion of this material varies with deformation, that in the case of the monolayer graphene, is related with the Fermi velocity of the material. |
Asunto: | Espalhamento Raman Física Grafeno |
Idioma: | Português |
Editor: | Universidade Federal de Minas Gerais |
Sigla da Institución: | UFMG |
Tipo de acceso: | Acesso Aberto |
URI: | http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9UNJ6B |
Fecha del documento: | 6-jun-2013 |
Aparece en las colecciones: | Dissertações de Mestrado |
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