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http://hdl.handle.net/1843/BUOS-9GJNT3| Tipo: | Tese de Doutorado |
| Título: | Pontos quânticos de InAs em GaAs crescidos usando Te como surfactante. |
| Autor(es): | Gustavo de Almeida Magalhaes Safar |
| primer Tutor: | Wagner Nunes Rodrigues |
| primer miembro del tribunal : | Flavio Orlando Plentz Filho |
| Segundo miembro del tribunal: | Franklin Massami Matinaga |
| Tercer miembro del tribunal: | Belita Koiller |
| Cuarto miembro del tribunal: | Andrea Brito Latge |
| Resumen: | Amostras de Te/GaAs são fabricadas por MBE e examinadas por RHEED e RBS, sob diferentes condições de tratamento térmico. Amostras de InAs/Te/GaAs e InAs/GaAs são examinadas ao microscópio de força atômica, para diferentes coberturas de InAs e de Te. Com base nestas amostras, amostras de pontos quânticos auto-organizados de InAs em GaAs, com e sem Te, são produzidas e medidas de fotoluminescência são realizadas. Mostra-se que o Te influi no crescimento epitaxial do InAs sobre o GaAs, e também no sinal de fotoluminescência das amostras de pontos quânticos de InAs em GaAs. |
| Abstract: | Nous avons fabriqué des échantillons de Te/GaAs par croissance par jets moleculaires et examiné par RHEED et RBS, sous des differentes conditions de traitement thérmique. Des échantillons de InAs/Te/GaAs et InAs/GaAs ont été examinés par la téchnique de microscopie de force atomique, avec des differentes couvertures de InAs et Te. Des points quantiques auto-organisés de InAs en GaAs, avec et sans Te, ont été obtenus et mesurés par photoluminescence. Nous avons conclu que le Te modifie la croissance epitaxialle du InAs sûr le GaAs, aussi bien que le signal de photoluminescence des échantillons de points quantiques de InAs en GaAs. |
| Asunto: | Cristais Crescimento Nanoestrutura Arsenieto de galio Semicondutores Nanotecnologia Optoeletronica Física |
| Idioma: | Português |
| Editor: | Universidade Federal de Minas Gerais |
| Sigla da Institución: | UFMG |
| Tipo de acceso: | Acesso Aberto |
| URI: | http://hdl.handle.net/1843/BUOS-9GJNT3 |
| Fecha del documento: | 10-abr-1997 |
| Aparece en las colecciones: | Teses de Doutorado |
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