Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/1843/BUOS-9NBGLE
Type: Dissertação de Mestrado
Title: Propriedades ópticas de pontos quânticos de InAs em nanomembranas semicondutoras
Authors: Barbara Luiza Teixeira Rosa
First Advisor: Paulo Sérgio Soares Guimarães
First Co-advisor: Angelo Malachias de Souza
First Referee: Helio Chacham
Second Referee: Wagner Nunes Rodrigues
Abstract: Neste trabalho estudamos como as propriedades ópticas de pontos quânticos de InAs crescidos dentro de nanomembranas semicondutoras de materiais III-V são afetadas pela proximidade das duas superfícies da amostra. Medidas de fotoluminescência nos mostraram que a criação de nanomembranas aumenta a probabilidade da recombinação elétron-buraco de estados excitados dos pontos quânticos, em relação à emissão observada antes da fabrica ção das nanomembranas. Este comportamento é explicado considerando as regiões de depleção induzidas pelas superfícies da nanomembrana.
Abstract: In this work we study how the optical properties of InAs quantum dots embedded in III-V semiconductor nanomembranes are a_ected by the neighborhood of the two symmetrically located sample surfaces. Photoluminescence measurements show that the creation of the nanomembranes increase the electron-hole recombination probability of the excited states of the quantum dots, relative to the emission prior to the fabrication of the nanomembranes. This behavior is explained considering the depletion layers induced by the surfaces of the nanomembrane.
Subject: Física
language: Português
Publisher: Universidade Federal de Minas Gerais
Publisher Initials: UFMG
Rights: Acesso Aberto
URI: http://hdl.handle.net/1843/BUOS-9NBGLE
Issue Date: 26-Feb-2014
Appears in Collections:Dissertações de Mestrado

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