Bandas de energia dos semicondutores PbTe, PbSe e Pbs com modêlo de potencial a três parâmetros

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor1	Dálvio Elísio Laborne e Valle	pt_BR
dc.contributor.referee1	Manoel Lopes de Siqueira	pt_BR
dc.contributor.referee2	Ramayana Gazzinelli	pt_BR
dc.creator	Nilton Penha Silva	pt_BR
dc.date.accessioned	2019-08-14T20:07:26Z	-
dc.date.available	2019-08-14T20:07:26Z	-
dc.date.issued	1969-12-26	pt_BR
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/1843/BUOS-AAQNMJ	-
dc.description.resumo	Usando o método das ondas planas simetrizadas e um modêlo simples de potencial, a três parâmetros, que consiste de poços retangulares, envolvendo cada átomo e um potencial delta repulsivo, centrado nos núcleos, simulamos os semicondutores PbTe, PbSe e PbS. Os resultados para as bandas de energia estão em concordância com os dados experimentais. A mesma natureza para as transições nos três compostos é encontrada, em compatibilidade com a relação experimental entre elas e o parâmetro da rêde cristalina.	pt_BR
dc.language	Português	pt_BR
dc.publisher	Universidade Federal de Minas Gerais	pt_BR
dc.publisher.initials	UFMG	pt_BR
dc.rights	Acesso Aberto	pt_BR
dc.subject	Física	pt_BR
dc.subject.other	Fisica do estado solido	pt_BR
dc.subject.other	Semicondutores	pt_BR
dc.subject.other	Física	pt_BR
dc.title	Bandas de energia dos semicondutores PbTe, PbSe e Pbs com modêlo de potencial a três parâmetros	pt_BR
dc.type	Dissertação de Mestrado	pt_BR
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