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http://hdl.handle.net/1843/BUOS-AAQNMJ
Registro completo de metadatos
Campo DC | Valor | Idioma |
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dc.contributor.advisor1 | Dálvio Elísio Laborne e Valle | pt_BR |
dc.contributor.referee1 | Manoel Lopes de Siqueira | pt_BR |
dc.contributor.referee2 | Ramayana Gazzinelli | pt_BR |
dc.creator | Nilton Penha Silva | pt_BR |
dc.date.accessioned | 2019-08-14T20:07:26Z | - |
dc.date.available | 2019-08-14T20:07:26Z | - |
dc.date.issued | 1969-12-26 | pt_BR |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/1843/BUOS-AAQNMJ | - |
dc.description.resumo | Usando o método das ondas planas simetrizadas e um modêlo simples de potencial, a três parâmetros, que consiste de poços retangulares, envolvendo cada átomo e um potencial delta repulsivo, centrado nos núcleos, simulamos os semicondutores PbTe, PbSe e PbS. Os resultados para as bandas de energia estão em concordância com os dados experimentais. A mesma natureza para as transições nos três compostos é encontrada, em compatibilidade com a relação experimental entre elas e o parâmetro da rêde cristalina. | pt_BR |
dc.language | Português | pt_BR |
dc.publisher | Universidade Federal de Minas Gerais | pt_BR |
dc.publisher.initials | UFMG | pt_BR |
dc.rights | Acesso Aberto | pt_BR |
dc.subject | Física | pt_BR |
dc.subject.other | Fisica do estado solido | pt_BR |
dc.subject.other | Semicondutores | pt_BR |
dc.subject.other | Física | pt_BR |
dc.title | Bandas de energia dos semicondutores PbTe, PbSe e Pbs com modêlo de potencial a três parâmetros | pt_BR |
dc.type | Dissertação de Mestrado | pt_BR |
Aparece en las colecciones: | Dissertações de Mestrado |
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