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http://hdl.handle.net/1843/BUOS-AAQNMJ| Tipo: | Dissertação de Mestrado |
| Título: | Bandas de energia dos semicondutores PbTe, PbSe e Pbs com modêlo de potencial a três parâmetros |
| Autor(es): | Nilton Penha Silva |
| primer Tutor: | Dálvio Elísio Laborne e Valle |
| primer miembro del tribunal : | Manoel Lopes de Siqueira |
| Segundo miembro del tribunal: | Ramayana Gazzinelli |
| Resumen: | Usando o método das ondas planas simetrizadas e um modêlo simples de potencial, a três parâmetros, que consiste de poços retangulares, envolvendo cada átomo e um potencial delta repulsivo, centrado nos núcleos, simulamos os semicondutores PbTe, PbSe e PbS. Os resultados para as bandas de energia estão em concordância com os dados experimentais. A mesma natureza para as transições nos três compostos é encontrada, em compatibilidade com a relação experimental entre elas e o parâmetro da rêde cristalina. |
| Asunto: | Fisica do estado solido Semicondutores Física |
| Idioma: | Português |
| Editor: | Universidade Federal de Minas Gerais |
| Sigla da Institución: | UFMG |
| Tipo de acceso: | Acesso Aberto |
| URI: | http://hdl.handle.net/1843/BUOS-AAQNMJ |
| Fecha del documento: | 26-dic-1969 |
| Aparece en las colecciones: | Dissertações de Mestrado |
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