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dc.contributor.advisor1Wagner Nunes Rodriguespt_BR
dc.contributor.advisor-co1Franklin Massami Matinagapt_BR
dc.contributor.referee1Karla Balzuweitpt_BR
dc.creatorMcglennon da Rocha Regispt_BR
dc.date.accessioned2019-08-11T08:56:21Z-
dc.date.available2019-08-11T08:56:21Z-
dc.date.issued2002-02-09pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/1843/ESCZ-5KUPHR-
dc.description.abstractIn this work, we investigate the oxidation processing of AlAs in semiconductor AlAs/GaAs multilayer structures. Our results show a direct dependence of the depth of oxidation with the time of exposure to the oxidating atmosphere. This leads to a change in the reflectivity of the multilayer structures, shifting the reflectivity maximum range towardslower wavelengths. We could demonstrate the loss of As in the oxidized regions. In our samples we could also observe a deepning of the oxidated regions relative to the non-oxidated ones. We conclude that the oxidation process takes place more significantly in the AlAs layer, in comparison with the GaAs ones.pt_BR
dc.description.resumoNo presente trabalho, estudamos o processamento por oxidação de AlAs em heteroestruturas semicondutoras. Nossos resultados mostram uma dependência direta do comprimento de oxidação com o tempo de exposição à atmosfera oxidante. Isso acarreta uma mudança na refletividade das heteroestruturas com um deslocamento da faixa de refletividade máxima para comprimentos de onda menores. Determinamos o perfil químico das estruturas e mostramos a perda de As nas regiões oxidadas. Nossos resultados mostram um desnível na fronteira entre as regiões oxidadas e nãooxidadas. Concluímos que o processo de oxidação ocorre significativamente nas camadas de AlAs, não sendo percebido o mesmo para as camadas de GaAs.pt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Geraispt_BR
dc.publisher.initialsUFMGpt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectOxidação de AlAspt_BR
dc.subject.otherDispositivos optoeletrônicospt_BR
dc.subject.otherHeteroestruturas semicondutoraspt_BR
dc.subject.otherSemicondutores oxido-metalicospt_BR
dc.subject.otherHeterostructurespt_BR
dc.subject.otherFísicapt_BR
dc.subject.otherDispositivos eletronicospt_BR
dc.titleEstudo da oxidação de AlAs em heteroestruturas semicondutoraspt_BR
dc.typeDissertação de Mestradopt_BR
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