X-ray study of strain, composition, elastic energy and atomic ordering in Ge islands on Si(001)

Angelo Malachias de Souza

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor1	Rogerio Magalhaes Paniago	pt_BR
dc.contributor.advisor-co1	Gilberto Medeiros Ribeiro	pt_BR
dc.contributor.referee1	Jose Francisco de Sampaio	pt_BR
dc.contributor.referee2	Ricardo Wagner Nunes	pt_BR
dc.contributor.referee3	Eduardo Abramof	pt_BR
dc.contributor.referee4	Jonder Moraes	pt_BR
dc.creator	Angelo Malachias de Souza	pt_BR
dc.date.accessioned	2019-08-09T16:26:36Z	-
dc.date.available	2019-08-09T16:26:36Z	-
dc.date.issued	2005-08-19	pt_BR
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/1843/ESCZ-6L6LVT	-
dc.description.abstract	X-ray diffraction techniques were employed here to study several structural and chemical properties of Ge:Si(001) islands. Grazing incidence diffraction was used to map the strain status of Ge pyramids and domes. By tuning the x-ray energy near the Ge K edge to perform anomalous diffraction measurements it was possible to determine the chemical composition of both types of islands. The elastic energy was directly evaluated and found to be one of the driving forces of morphological evolution in this system. These results were extended by a new analysis method to a complete threedimensional chemical and structural mapping of Ge domes. Finally, the existence of SiGe ordered alloys was observed inside domes, indicating the important rule played by surface kinetics on Si interdiffusion.	pt_BR
dc.description.resumo	Neste trabalho foram utilizadas técnicas de difração de raios-x para estudar propriedades químicas e estruturais de ilhas de Ge:Si(001). Através de experimentos de difração por incidência rasante foi realizado um mapeamento estrutural da relaxação de strain dentro de pirâmides e domos de Ge. Alterando-se a energia dos raios-x próximo à borda K do Ge em medidas de difração anômala foi possível determinar a composição química dos dois tipos de ilhas. A energia elástica, obtida correlacionandose estes dois resultados, provou ser um dos fatores responsáveis pelas transições morfológicas neste sistema. Uma extensão dos resultados, com o uso de um novo método de análise, permitiu um completo mapeamento tri-dimensional da estrutura e estequiometria dos domos de Ge. Por último, foi observada a existência de uma liga ordenada de SiGe dentro dos domos, indicando o importante papel da cinética de crescimento na incorporação de Si nas ilhas.	pt_BR
dc.language	Inglês	pt_BR
dc.publisher	Universidade Federal de Minas Gerais	pt_BR
dc.publisher.initials	UFMG	pt_BR
dc.rights	Acesso Aberto	pt_BR
dc.subject	Elastic energy	pt_BR
dc.subject	Si(001)	pt_BR
dc.subject.other	Filmes de germânio silício	pt_BR
dc.subject.other	Ordenamento atômico	pt_BR
dc.subject.other	Ilhas de germânio em superfície de silício	pt_BR
dc.subject.other	Raios X Difração	pt_BR
dc.subject.other	Física	pt_BR
dc.title	X-ray study of strain, composition, elastic energy and atomic ordering in Ge islands on Si(001)	pt_BR
dc.type	Tese de Doutorado	pt_BR
Appears in Collections:	Teses de Doutorado

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