Use este identificador para citar ou linkar para este item:
http://hdl.handle.net/1843/ESCZ-7N4G3Z
Tipo: | Tese de Doutorado |
Título: | Propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs |
Autor(es): | Andreza Germana da Silva |
Primeiro Orientador: | Paulo Sérgio Soares Guimarães |
Primeiro membro da banca : | Franklin Massami Matinaga |
Segundo membro da banca: | Ricardo Wagner Nunes |
Terceiro membro da banca: | Alvaro José Magalhães Neves |
Quarto membro da banca: | Yara Galvão Gobato |
Quinto membro da banca: | Rodrigo Gribel Lacerda |
Resumo: | Neste trabalho, reportamos sobre as propriedades ópticas e elétricas de pontos quânticos semicondutores de InAs em duas diferentes situações. Primeiramente, fizemos medidas de magnetotunelamento em multicamadas de pontos quânticos auto-organizados na presença de campos magnéticos de até 12 T. Observamos tunelamento entre estados de pontos quânticos pertencentes a camadas adjacentes e a elevados campos magnéticos, devido ao efeito Zeeman, nós mostramos evidências de tunelamento através de estados quasi-zero dimensionais com polariza&ção de spin. Comprovamos que os fatores g dos pontos quânticos de camadas adjacentes são fortemente afetados pela quantidade de confinamento. Na segunda parte do trabalho, através de medidas de microluminescência, investigamos pilares únicos de GaAs/AlGaAs contendo pontos quânticos de InAs. Medimos pilares circulares de diferentes diâmetros e estudamos experimentalmente o efeito da orientação do dipolo do ponto quântico sobre a intensidade dos modos fotônicos dos micropilares, dando especial atenção aos modos com mais elevadas energias. Nossos resultados implicam que uma porcentagem dos pontos quânticos em nossos pilares tem um grau significativo de polarização, uma argumentação que foi confirmada experimentalmente. |
Abstract: | In the present work, we report on the electrical and optical properties ofInAs self-assembled quantum dots in two different situations. First, we perfomed magnetotunneling measurements in stacked self-assembled quantum dot multilayers, with applied magnetic fields up to 12 T. We observe tunneling between quantum dot states in adjacent layers and at high magnetic fields we show evidence of tunneling through Zeeman- splitted quasi-zero dimensional states. Our results imply that the g factors between quantum dots in adjacent layers are strongly affected by the amount of confinement. In the second part of the work, we investigated single GaAs/AlGaAs pillars containing InAs quantum dots by microphotoluminescence. We measured circular pillars of different diameters and studied experimentally the effect of the quantum dot dipole orientation on the intensity of the photonic modes of microcavity pillars, with special attention to the higher energy modes. Our results imply that a percentage of the dots in our pillars has a significant degree of linear polarization, an assumption that has been experimentally confirmed. |
Assunto: | Ponto quântico semicondutor Semicondutores de arsenieto de galio Propriedades ópticas Física |
Idioma: | Português |
Editor: | Universidade Federal de Minas Gerais |
Sigla da Instituição: | UFMG |
Tipo de Acesso: | Acesso Aberto |
URI: | http://hdl.handle.net/1843/ESCZ-7N4G3Z |
Data do documento: | 16-Jun-2008 |
Aparece nas coleções: | Teses de Doutorado |
Arquivos associados a este item:
Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
---|---|---|---|---|
andreza_g._da_silva_tese.pdf | 8.62 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.