Use este identificador para citar ou linkar para este item:
http://hdl.handle.net/1843/MPDZ-8WSQAS| Tipo: | Dissertação de Mestrado |
| Título: | Espectroscopia de campo-próximo em sistemas bidimensionais |
| Autor(es): | Rodolfo Vieira Maximiano |
| Primeiro Orientador: | Luiz Gustavo de Oliveira Lopes Cancado |
| Primeiro Coorientador: | Ado Jorio de Vasconcelos |
| Primeiro membro da banca : | Oscar Nassif de Mesquita |
| Segundo membro da banca: | Sebastiao Jose Nascimento de Padua |
| Resumo: | Neste trabalho, desenvolvemos um modelo teórico que descreve o aumento do sinal Raman em sistemas 2D para experimentos de Tip-Enhanced Raman Spectroscopy (TERS), ou Espectroscopia Raman de campo-próximo. A análise quantifica o valor da intensidade Raman em regime de campo-próximo como função da distância ponta-amostra, do tensor polarizabilidade Raman, configuração do laser incidente e orientação da ponta relativa ao plano. A análise leva em conta ambos os regimes espacialmente coerentes e incoerentes de espalhamento, cujas intensidades variam proporcionalmente ao inverso da 10a e 8ia potência, respectivamente. Nós analisamos os resultados para os modos vibracionais que ocorrem em sistemas bidimensionais, por exemplo, grafeno e nitreto de boro, levando em conta a polarização da luz incidente nos modos linear e radial. Nossos resultados mostram que, para cada modo vibracional, há uma competição entre o melhor ângulo para excitar o dipolo formado na ponta e o dipolo Raman no material. Determinamos os ângulos ótimos para a medida em cada um desses casos. Todos esses parâmetros formam um guia para experimentos de TERS em materiais bidimensionais, como grafeno ou gases de elétrons bidimensionais, podendo ser estendido para materiais opacos como superfícies planas. |
| Abstract: | A theory describing the near-field Raman enhancement in two-dimensional (2D) systems is presented. The analysis quanties the near-field Raman intensity as a function of the tip-sample distance, Raman polarizability tensor components, incident laser beam configuration, and tip orientation relative to the sample plane. Our results show that the near-field Raman intensity is inversely proportional to the 10th and 8th power of the tip-sample distance in the incoherent and coherent scattering regimes, respectively. Optimal conditions for the tipinclination angle for different congurations are determined, and the results can be used as a guide for TERS experiments in 2D systems, such as graphene and two-dimensional electron gases, and can be extended to opaque bulk materials with at surfaces. |
| Assunto: | Raman, Efeito intensificado em superficies Física |
| Idioma: | Português |
| Editor: | Universidade Federal de Minas Gerais |
| Sigla da Instituição: | UFMG |
| Tipo de Acesso: | Acesso Aberto |
| URI: | http://hdl.handle.net/1843/MPDZ-8WSQAS |
| Data do documento: | 3-Ago-2012 |
| Aparece nas coleções: | Dissertações de Mestrado |
Arquivos associados a este item:
| Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| rodolfo_vieira_maximiano_master_thesis.pdf | 6.12 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.