Nanoestruturas de siliceto de ferro crescidas sobre Si(111) utilizando epitaxia por deposição reativa

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dc.creatorMarcos Aurelio Duarte Carvalho
dc.date.accessioned2019-08-12T02:47:40Z
dc.date.accessioned2025-09-09T00:03:50Z
dc.date.available2019-08-12T02:47:40Z
dc.date.issued2007-11-20
dc.description.abstractS
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1843/ESCZ-7AWFLU
dc.languagePortuguês
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Gerais
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectNanoestruturas
dc.subjectPonto quântico
dc.subjectDifração de raio-X
dc.subjectSiliceto de ferro
dc.subjectSemicondutores
dc.subjectMicroscopia de força atômica
dc.subject.otherNanoestruturas
dc.subject.otherPontos quânticos
dc.subject.otherSiliceto de ferro
dc.titleNanoestruturas de siliceto de ferro crescidas sobre Si(111) utilizando epitaxia por deposição reativa
dc.typeDissertação de mestrado
local.contributor.advisor1Juan Carlos Gonzalez Perez
local.contributor.referee1Marcus Vinicius Baeta Moreira
local.contributor.referee1Franklin Massami Matinaga
local.contributor.referee1Roberto Magalhaes Paniago
local.description.resumoRecentemente a fase semicondutora -FeSi2 tem recebido considerável atenção pelo fato de apresentar, quando tensionada, gap direto de aproximadamente 0,87 eV, emitindo luz eficientemente num comprimento de onda de 1,5 µm[1-6]. Estruturas tensionadas de -FeSi2, por sua vez, podem ser obtidas a partir da fabricação de nanoestruturas auto-construídas sobre substratos de silício [7-9]. Neste trabalho são apresentados os resultados do crescimento de nanoestruturas de siliceto de ferro sobre substratos de Si (111) pela técnica de Epitaxia por Deposição Reativa. Esse estudo aborda a influência da quantidade de ferro depositada sobre esses substratos e do tempo de recozimento das amostras sobre as propriedades das nanoestruturas. Utilizaram-se as técnicas de caracterização de Microscopia de Força Atômica e de difração de Raios-X nas análises morfológicas e estruturais das amostras.
local.publisher.initialsUFMG

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