Auto-organização induzida por processos de geração e recombinação ativados por campo elétrico em semicondutores em regime de não equilíbrio termodinâmico

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dc.creatorRero Marques Rubinger
dc.date.accessioned2019-08-11T09:28:18Z
dc.date.accessioned2025-09-09T01:16:10Z
dc.date.available2019-08-11T09:28:18Z
dc.date.issued2000-05-25
dc.description.abstractWe have chosen to study semi-insulating semiconductors within the non-linear dynamics approach with the intention to observe and control chaotic current oscillations. We were able to identify doubling period bifurcation routes to chaos in high resistivity semiconductors with low frequency oscillations that presents positive Lyapunov exponents in the chaotic regime. For this we have grown semi-insulating GaAs samples by low temperature Molecular Beam Epitaxy (MBE) and GaAs:Cr samples by Liquid Encapsulated Czohralski (LEC). These samples were studied under strong applied electric fields, photoexcitation and variable temperature. During our work we identified a rich non-linear dynamics phenomenology associated with generation-recombination processes such as field enhanced trapping, recovery from the quenched state of the EL2 level and low frequency oscillations with doubling period routes to chaos.
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1843/BUBD-9GXPVE
dc.languagePortuguês
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Gerais
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectSemicondutores
dc.subjectFísica
dc.subject.otherFísica
dc.titleAuto-organização induzida por processos de geração e recombinação ativados por campo elétrico em semicondutores em regime de não equilíbrio termodinâmico
dc.typeTese de doutorado
local.contributor.advisor-co1Geraldo Mathias Ribeiro
local.contributor.advisor-co1José Carlos Bezerra Filho
local.contributor.advisor1Alfredo Gontijo de Oliveira
local.contributor.referee1Jose Marcos Andrade Figueiredo
local.contributor.referee1Elmo Salomão Alves
local.contributor.referee1Belita Koiller
local.description.resumoNossa opção de realizar estudos em dinâmica não linear foi feita com o objetivo de observar e controlar rotas para o caos. Conseguimos observar rotas de bifurcação por duplicação de período em materiais semicondutores de alta resistividade no regime de oscilações de baixa freqüência, culminando em um regime de oscilações caóticas com expoentes de Lyapunov positivos. Para isso, amostras de GaAs semi-isolante crescidas por Molecular Beam Epitaxy (MBE) à baixas temperaturas e de GaAs:Cr crescidas por Liquid Encapsulated Czohralski (LEC) foram utilizadas para o estudo de propriedades físicas não lineares de condução elétrica na presença de campos elétricos intensos em condições de fotoexcitação e de temperatura variável. No desenvolvimento de nosso trabalho, uma rica fenomenologia de dinâmica não linear associada a fenômenos de geração e recombinação como ionização por impacto, field enhanced trapping, inibição e recuperação de photoquench do defeito EL2, oscilações de baixa freqüência e rotas para o caos pôde ser observada.
local.publisher.initialsUFMG

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