Pontos quânticos de InAs em GaAs crescidos usando Te como surfactante.

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dc.creatorGustavo de Almeida Magalhaes Safar
dc.date.accessioned2019-08-10T03:56:41Z
dc.date.accessioned2025-09-09T01:21:20Z
dc.date.available2019-08-10T03:56:41Z
dc.date.issued1997-04-10
dc.description.abstractNous avons fabriqué des échantillons de Te/GaAs par croissance par jets moleculaires et examiné par RHEED et RBS, sous des differentes conditions de traitement thérmique. Des échantillons de InAs/Te/GaAs et InAs/GaAs ont été examinés par la téchnique de microscopie de force atomique, avec des differentes couvertures de InAs et Te. Des points quantiques auto-organisés de InAs en GaAs, avec et sans Te, ont été obtenus et mesurés par photoluminescence. Nous avons conclu que le Te modifie la croissance epitaxialle du InAs sûr le GaAs, aussi bien que le signal de photoluminescence des échantillons de points quantiques de InAs en GaAs.
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1843/BUOS-9GJNT3
dc.languagePortuguês
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Gerais
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectCristais Crescimento
dc.subjectNanoestrutura
dc.subjectArsenieto de galio
dc.subjectSemicondutores
dc.subjectNanotecnologia
dc.subjectOptoeletronica
dc.subjectFísica
dc.subject.otherFisica
dc.titlePontos quânticos de InAs em GaAs crescidos usando Te como surfactante.
dc.typeTese de doutorado
local.contributor.advisor1Wagner Nunes Rodrigues
local.contributor.referee1Flavio Orlando Plentz Filho
local.contributor.referee1Franklin Massami Matinaga
local.contributor.referee1Belita Koiller
local.contributor.referee1Andrea Brito Latge
local.description.resumoAmostras de Te/GaAs são fabricadas por MBE e examinadas por RHEED e RBS, sob diferentes condições de tratamento térmico. Amostras de InAs/Te/GaAs e InAs/GaAs são examinadas ao microscópio de força atômica, para diferentes coberturas de InAs e de Te. Com base nestas amostras, amostras de pontos quânticos auto-organizados de InAs em GaAs, com e sem Te, são produzidas e medidas de fotoluminescência são realizadas. Mostra-se que o Te influi no crescimento epitaxial do InAs sobre o GaAs, e também no sinal de fotoluminescência das amostras de pontos quânticos de InAs em GaAs.
local.publisher.initialsUFMG

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