Estudo da oxidação de AlAs em heteroestruturas semicondutoras
Carregando...
Arquivos
Data
Autor(es)
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Editor
Universidade Federal de Minas Gerais
Descrição
Tipo
Dissertação de mestrado
Título alternativo
Primeiro orientador
Membros da banca
Karla Balzuweit
Resumo
No presente trabalho, estudamos o processamento por oxidação de AlAs em heteroestruturas semicondutoras. Nossos resultados mostram uma dependência direta do comprimento de oxidação com o tempo de exposição à atmosfera oxidante. Isso acarreta uma mudança na refletividade das heteroestruturas com um deslocamento da faixa de refletividade máxima para comprimentos de onda menores. Determinamos o perfil químico das estruturas e mostramos a perda de As nas regiões oxidadas. Nossos resultados mostram um desnível na fronteira entre as regiões oxidadas e nãooxidadas. Concluímos que o processo de oxidação ocorre significativamente nas camadas de AlAs, não sendo percebido o mesmo para as camadas de GaAs.
Abstract
In this work, we investigate the oxidation processing of AlAs in semiconductor AlAs/GaAs multilayer structures. Our results show a direct dependence of the depth of oxidation with the time of exposure to the oxidating atmosphere. This leads to a change in the reflectivity of the multilayer structures, shifting the reflectivity maximum range towardslower wavelengths. We could demonstrate the loss of As in the oxidized regions. In our samples we could also observe a deepning of the oxidated regions relative to the non-oxidated ones. We conclude that the oxidation process takes place more significantly in the AlAs layer, in comparison with the GaAs ones.
Assunto
Dispositivos optoeletrônicos, Heteroestruturas semicondutoras, Semicondutores oxido-metalicos, Heterostructures, Física, Dispositivos eletronicos
Palavras-chave
Oxidação de AlAs