Estructuras de Cdxzn1-xte con composición gradual

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dc.creatorAriel Domínguez
dc.creatorKarla Gutiérrez Z-B
dc.creatorG. Contreras-Puente
dc.creatorA. Escobosa
dc.creatorS. Gallardo-Hernández
dc.creatorO. de Melo
dc.creatorJuan Carlos González Pérez
dc.date.accessioned2025-02-26T16:28:31Z
dc.date.accessioned2025-09-08T23:52:24Z
dc.date.available2025-02-26T16:28:31Z
dc.date.issued2016
dc.format.mimetypepdf
dc.identifier.issn22247939
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1843/80464
dc.languagespa
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Gerais
dc.relation.ispartofRevista Cubana de Fisica
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectSemicondutores
dc.subject.otherSemiconductors
dc.subject.otherX-ray diffraction in crystal structure
dc.subject.otherAlloys thin films
dc.titleEstructuras de Cdxzn1-xte con composición gradual
dc.typeArtigo de periódico
local.citation.epageE11
local.citation.issue1E
local.citation.spageE8
local.citation.volume31
local.description.resumoLas capas delgadas de aleaciones semiconductoras con composición gradual (CG) resultan un tema de interés para los investigadores vinculados a la física del estado sólido. Estas aleaciones muestran una variación espacial de varias propiedades como son el índice de refracción, el ancho de la banda prohibida, la masa efectiva y el coeficiente de absorción de la luz; lo cual ha motivado su uso en varias aplicaciones prácticas como filtros ópticos, capas absorbentes de celdas solares, láseres semiconductores, dispositivos termoeléctricos, preparación de contactos óhmicos, acomodo de desacoples reticulares, entre otros.
local.publisher.countryBrasil
local.publisher.departmentICX - DEPARTAMENTO DE FÍSICA
local.publisher.initialsUFMG
local.url.externahttps://www.revistacubanadefisica.org/index.php/rcf/issue/view/73

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