Propriedades ópticas de pontos quânticos de InAs em nanomembranas semicondutoras
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Editor
Universidade Federal de Minas Gerais
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Dissertação de mestrado
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Primeiro orientador
Membros da banca
Helio Chacham
Wagner Nunes Rodrigues
Wagner Nunes Rodrigues
Resumo
Neste trabalho estudamos como as propriedades ópticas de pontos quânticos de InAs crescidos dentro de nanomembranas semicondutoras de materiais III-V são afetadas pela proximidade das duas superfícies da amostra. Medidas de fotoluminescência nos mostraram que a criação de nanomembranas aumenta a probabilidade da recombinação elétron-buraco de estados excitados dos pontos quânticos, em relação à emissão observada antes da fabrica ção das nanomembranas. Este comportamento é explicado considerando as regiões de depleção induzidas pelas superfícies da nanomembrana.
Abstract
In this work we study how the optical properties of InAs quantum dots embedded in III-V semiconductor nanomembranes are a_ected by the neighborhood of the two symmetrically located sample surfaces. Photoluminescence measurements show that the creation of the nanomembranes increase the electron-hole recombination probability of the excited states of the quantum dots, relative to the emission prior to the fabrication of the nanomembranes. This behavior is explained considering the depletion layers induced by the surfaces of the nanomembrane.
Assunto
Física
Palavras-chave
Pontos quânticos, Fotoluminescência, Nanomembranas, Estados excitados, Regiões de depleção