Estudos de heteroestruturas de grafeno sobre nitreto de boro hexagonal utilizando espectroscopia Raman

dc.creatorJéssica Santos Lemos
dc.date.accessioned2020-02-28T13:03:00Z
dc.date.accessioned2025-09-08T23:27:18Z
dc.date.available2020-02-28T13:03:00Z
dc.date.issued2018-08-16
dc.description.sponsorshipCNPq - Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico
dc.description.sponsorshipFAPEMIG - Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Minas Gerais
dc.description.sponsorshipCAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1843/32624
dc.languagepor
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Gerais
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectEspectroscopia de Raman
dc.subjectGrafeno
dc.subjectNitreto de boro
dc.subject.otherGrafeno
dc.subject.otherNitreto de boro hexagonal
dc.subject.otherHeteroestrutura
dc.subject.otherRaman
dc.subject.otherClonagem do Cone de Dirac
dc.subject.otherDopantes
dc.subject.otherDispositivos eletrônicos
dc.titleEstudos de heteroestruturas de grafeno sobre nitreto de boro hexagonal utilizando espectroscopia Raman
dc.typeDissertação de mestrado
local.contributor.advisor-co1Leandro Malard Moreira
local.contributor.advisor1Daniel Cunha Elias
local.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/8679644805781186
local.contributor.referee1Elmo Salomão Alves
local.contributor.referee1Cristiano Fantini Leite
local.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/7237498032711116
local.description.resumoGrafeno é uma estrutura cristalina bidimensional (2D) constituída por átomos de carbono fortemente ligados numa rede hexagonal, sendo a base para todos os outros materiais grafíticos de outras dimensões, como os fulerenos (0D), nanotubos (1D) e quando empilhados pode-se formar o grafite (3D). O nitreto de boro hexagonal (hBN) é um material laminado que apresenta forma semelhante ao grafeno, porém é composto por átomos de nitrogênio e boro, atomicamente plano e com um \textit{gap} de aproximadamente 5.8 eV. Sabe-se que o hBN é um excelente substrato para os materiais bidimensionais, melhorando a mobilidade eletrônica do grafeno e do dissulfeto de molibdênio em uma ordem de grandeza, por exemplo. %Visto que ele é atomicamente plano, o hBN pode ser utilizado como substrato para outros materiais bidimensionais, por exemplo, o grafeno que tem sua mobilidade elevada em até três ordens de grandeza quando transferido sobre o hBN. Por possuir um band gap alto, o que o caracteriza como isolante, o hBN pode ser aplicado para a produção de dispositivos eletrônicos tais como capacitores e transistores. Neste trabalho, heteroestruturas de grafeno e hBN foram construídas pelo método \textit{pick-up} e transferidas a seco para um substrato isolante (vidro). Em seguida, foram feitos contatos elétricos a fim de controlar a concentração de portadores de carga aplicando uma tensão entre o grafeno e o contato de ouro depositado sobre o hBN. Dessa forma foi possível acessar concentrações de carga superiores a $10^{13}~cm^{-2}$. Procurou-se construir a amostra alinhada a fim de se obter um padrão de Moiré tal que a clonagem dos cones de Dirac ocorresse para um valor energeticamente menor, sendo acessível através da aplicação de tensão. Para verificar a formação da clonagem dos cones de Dirac devido ao padrão de Moiré, utilizou-se a espectroscopia Raman. Observou-se a diminuição da frequência e o aumento da largura da banda G para três valores distintos de tensão aplicada na amostra. Investiga-se o efeito do acoplamento elétron-fônon para explicar tais observações experimentais entre os diferentes pontos de Dirac e os fônons da banda G.
local.publisher.countryBrasil
local.publisher.departmentICX - DEPARTAMENTO DE FÍSICA
local.publisher.initialsUFMG
local.publisher.programPrograma de Pós-Graduação em Física

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