Dispersão de fônons na vizinhança do ponto de Dirac do grafeno por espalhamento Raman
| dc.creator | Daniela Lopes Mafra | |
| dc.date.accessioned | 2019-08-11T14:32:27Z | |
| dc.date.accessioned | 2025-09-09T01:20:17Z | |
| dc.date.available | 2019-08-11T14:32:27Z | |
| dc.date.issued | 2008-08-20 | |
| dc.description.abstract | S | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/1843/IACO-7KVSAE | |
| dc.language | Português | |
| dc.publisher | Universidade Federal de Minas Gerais | |
| dc.rights | Acesso Aberto | |
| dc.subject | Estrutura cristalina | |
| dc.subject | Espalhamento (Física) | |
| dc.subject | Espalhamento de ressonância | |
| dc.subject | Espectroscopia de Raman | |
| dc.subject | Física | |
| dc.subject | Grafeno | |
| dc.subject.other | Estrutura cristalina | |
| dc.subject.other | Espalhamento Raman | |
| dc.subject.other | Dispersão de fônons | |
| dc.subject.other | Grafeno | |
| dc.title | Dispersão de fônons na vizinhança do ponto de Dirac do grafeno por espalhamento Raman | |
| dc.type | Dissertação de mestrado | |
| local.contributor.advisor1 | Marcos Assuncao Pimenta | |
| local.contributor.referee1 | Flavio Orlando Plentz Filho | |
| local.contributor.referee1 | Marcelo Paleologo Elefteriadis de Franca Santos | |
| local.description.resumo | A relação de dispersão de fônons é uma das propriedades físicas mais fundamentais de um sólido. Nesse trabalho, a Espectroscopia Raman com dupla Ressonância foi usada para determinar a dispersão dos ramos de fônons longitudinal acústico (LA) e transversal óptico no plano (iTO) próxima ao ponto de Dirac (ponto K da zona de Brillouin) de uma mostra de grafeno através da análise da dispersão de duas bandas de segunda ordem originadas de um processo inter-vale: a banda G - e a banda G*. A banda G*, em aproximadamente 2700cm-1, envolve dois fônons do ramo iTO com vetor de onda q » 2k, onde q e k são os vetores de onda do fônon e do elétron, respectivamente, medidos a partir do ponto K. Já a banda G*, em aproximadamente 2450 cm-1, também vem de dois fônons com q » 2k, porém um do ramo iTO e outro do LA. Portanto, a freqüência dos fônons LA e iTO podem ser obtidas a partir da medida da freqüência dessas duas bandas. Os resultados experimentais foram comparados com os resultados obtidos para grafite turbostrático e também com diferentes relações de dispersão de fônons calculadas teoricamente. Além disso, também é mostrado que as velocidades dos fônons envolvidos nesse processo Raman com dupla ressonância são dadas por LA=7.70 x 10-3 F e TO=5.47 x 10-3 F, onde F é a velocidade de Fermi dos elétrons na proximidade do ponto de Dirac. | |
| local.publisher.initials | UFMG |
Arquivos
Pacote original
1 - 1 de 1
Carregando...
- Nome:
- daniela_l._mafra.dis.pdf
- Tamanho:
- 1.81 MB
- Formato:
- Adobe Portable Document Format