Magneto-éxcitons em super-redes semicondutoras de InGaAs/InAlAs

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dc.creatorMarcelo Valadares de Magalhaes Pereira
dc.date.accessioned2019-08-13T00:10:34Z
dc.date.accessioned2025-09-08T23:05:00Z
dc.date.available2019-08-13T00:10:34Z
dc.date.issued2004-05-25
dc.description.abstractIn this work we study a sample with two undoped In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As superlattices grown in sequence on top of each other, on the same InP substrate. We performed magnetophotoluminescence measurements with magnetic fields up to 12 T for different temperatures from 4 K to 45 K. We obtain the exciton binding energy and the effective reduced mass for this structure and their variation with the temperature and the magnetic field.
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1843/ESCZ-692H8X
dc.languagePortuguês
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Gerais
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectFísica
dc.subject.otherInGaAs
dc.subject.otherSuper-redes
dc.titleMagneto-éxcitons em super-redes semicondutoras de InGaAs/InAlAs
dc.typeDissertação de mestrado
local.contributor.advisor1Paulo Sérgio Soares Guimarães
local.contributor.referee1Luiz Alberto Cury
local.contributor.referee1Franklin Massami Matinaga
local.contributor.referee1Ricardo Wagner Nunes
local.description.resumoNeste trabalho estudamos amostras contendo duas super-redes não dopadas de In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As crescidas em seqüência uma sobre a outra em um mesmo substrato de InP. Fizemos medidas de magnetofotoluminescência com campos magnéticos até 12T para diferentes temperaturas de 4 K a 45 K. Obtivemos a energia de ligação dos éxcitons e as massas reduzidas para esta estrutura e sua variação com a temperatura e com o campo magnético.
local.publisher.initialsUFMG

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