A barreira Schottky na interface Al:nGaAs preparada por MBE

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dc.creatorVania Aguiar Moura
dc.date.accessioned2019-08-14T07:20:57Z
dc.date.accessioned2025-09-08T23:45:03Z
dc.date.available2019-08-14T07:20:57Z
dc.date.issued1992-03-09
dc.description.abstractIn onder to study mechanisms of Fermi levei pinnlg we haveprepared Intrerffiices belrween Al and nGaAs(100) by MBE .The Sahottkybarrier for different, sample t.emporatures is then obtained from I(V) andC(V). As the Schottky barrier is dependent, of interface conditions, wehave measured X-ray difraction of the Al film, in order to determine theAl film orietation . The character of pinning states has been interpreted in terms of the temperature coefficient of the band structure of semiconductor. We have observed that the Schottky barrier height is temperature independent and the results are discussed within the context of the current pinning model.
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1843/BUBD-9BTRG6
dc.languagePortuguês
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Gerais
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectSchottky, Diodos de barreira de
dc.subjectEpitaxia por feixe molecular
dc.subjectFeixes moleculares
dc.subjectFísica
dc.subject.otherFísica
dc.titleA barreira Schottky na interface Al:nGaAs preparada por MBE
dc.typeDissertação de mestrado
local.contributor.advisor1Wagner Nunes Rodrigues
local.contributor.referee1Nivaldo Lucio Speziali
local.contributor.referee1Helio Chacham
local.contributor.referee1Gerald Weber
local.description.resumoEste trabalho consiste no estudo do cráter dos estados responsáveis pela determinação da posição de EF na interface ("pinning") entre metal e o semicondutor. Para isso foram preparadas interfaces entre Al e nGaAs (100) crescidas por MBE, sendo a barreira Schottky determinada por medidas elétricas I(V), C(V) para diferentes temperaturas. Como a barreira Schottky mostra-se dependentecdas condições da interface foram feitas medidas de difração de raios-x para determinaçãoda orientação do filme de Al. O caráter dos estados responsáveis pelo "pinning" foi obtido da comparação entre os coeficientes de temperatura de 0B (determinado experimentalmente) e dos máximo e mínimo das bandas de valência e condução, respectivamente. Encontramos que a altura da barreira Schottky é independente da temperatura. Os resultados são discutidos dentro do contexto dos modelos atuais.
local.publisher.initialsUFMG

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