Estudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silício

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dc.creatorMoises Augusto da Silva Monteiro de Araujo
dc.date.accessioned2019-08-11T16:43:00Z
dc.date.accessioned2025-09-08T23:07:03Z
dc.date.available2019-08-11T16:43:00Z
dc.date.issued2006-06-14
dc.description.abstractS
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1843/IACO-6W7RZ6
dc.languagePortuguês
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Gerais
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectSilício
dc.subjectDiscordâncias cristalinas
dc.subjectSemicondutores
dc.subjectFísica
dc.subjectEstrutura eletrônica
dc.subject.otherSilício
dc.subject.otherSemicondutores
dc.subject.otherDiscordância cristalinas
dc.subject.otherEstrutura eletrônica
dc.titleEstudos teóricos sobre discordâncias cristalinas em silício
dc.typeTese de doutorado
local.contributor.advisor1Ricardo Wagner Nunes
local.contributor.referee1Helio Chacham
local.contributor.referee1Luiz Orlando Ladeira
local.contributor.referee1Rodrigo Barbosa Capaz
local.contributor.referee1Pedro Paulo de Mello Venezuela
local.description.resumoNeste trabalho investigamos propriedades eletrônicas e estruturais das discordâncias cristalinas que são importantes para o entendimento: (i) dos mecanismos associados à sua mobilidade pela matriz cristalina; (ii) do papel que elas exercem nos processos de espalhamento e recombinação de portadores de cargas em semicondutores. Ambas análises foram feitas em silício. Na abordagem do primeiro ponto, consideramos como o efeito de carga elétrica nas discordâncias cristalinas parciais a 30° e 90° influencia na estabilidade relativa entre os modelos propostos para a estrutura de seus caroços. De uma forma geral, observamos que estruturas de caroço não se estabilizam em estados de carga positivos. Além disso, nos estados de carga negativos, a estabilidade relativa da reconstrução é diminuída na parcial a 30°, enquanto que na parcial a 90° identificamos uma possível transição entre as geometrias reconstruídas e a não reconstruída. Desta forma, pudemos estabelecer algumas evidências que estão de acordo com observações experimentais de que as discordâncias cristalinas em silício são mais móveis em cristais sob o regime de dopagem tipo-n. Em relação ao segundo ponto, analisamos a interação entre discordâncias cristalinas e vacâncias dos pontos de vista energético e eletrônico. Conseguimos estabelecer uma primeira visão de como é o processo de difusão das vacâncias neutras em regiões próximas aos caroços das discordâncias parciais a 90°: vacâncias são mais estáveis nos sítios centrais do caroço, e devem encontrar barreiras maiores de migração em direção ao caroço através do plano de deslizamento. Ao considerar sistemas carregados, verificamos como é o comportamento do acoplamento vacância-discordância para os cinco estados de carga possíveis para o defeito pontual. Estudamos ainda como as discordâncias influenciam na estabilização das vacâncias, considerando as variações apresentadas em seus níveis de ionização U-negativos. Em geral, nos sítios mais favoráveis à formação de vacâncias no caroço, a região de estabilidade do estado de carga neutro é alargada em relação a uma vacância em bulk, porém, os níveis de ionização U-negativos são mantidos. Utilizamos, em nossos cálculos, metodologias de primeiros princípios e semi-empíricas. Do primeiro grupo, utilizamos a teoria do funcional da densidade, dentro da aproximação do gradiente generalizado para o funcional de troca e correlação, aliada a um tratamento por pseudopotenciais para os elétrons do caroço atômico, e a uma expansão numa base de ondas planas para os estados de valência do sistema. Do segundo grupo, trabalhamos com um tratamento tight-binding para a matriz densidade do sistema que escala, em tempo computacional, linearmente com o número de elétrons.
local.publisher.initialsUFMG

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