Crescimento de nanofios semicondutores de óxido de zinco por deposição química na fase vapor

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dc.creatorLeonardo Cristiano Campos
dc.date.accessioned2019-08-14T14:05:27Z
dc.date.accessioned2025-09-08T23:50:28Z
dc.date.available2019-08-14T14:05:27Z
dc.date.issued2006-03-20
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1843/IACO-6W9LGT
dc.languagePortuguês
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Gerais
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectNanofios
dc.subjectSistemas nanoestruturados
dc.subjectNanotecnologia
dc.subjectFísica
dc.subject.otherNanofios de oxido de zinco
dc.subject.otherSistemas nanoestruturados
dc.subject.otherNanotecnologia
dc.titleCrescimento de nanofios semicondutores de óxido de zinco por deposição química na fase vapor
dc.typeDissertação de mestrado
local.contributor.advisor1Rodrigo Gribel Lacerda
local.contributor.referee1Marcos Assuncao Pimenta
local.description.resumoEste trabalho estuda o crescimento de nanofios de óxido de zinco (ZnO) por deposição química na fase vapor. Um novo modelo de crescimento a partir das fases gasosa e sólida foi proposto para este material, podendo ser estendido para explicar o crescimento de nanofios de outros materiais em condições termodinâmicas similares. Da mesma forma uma nova técnica de produção de nanofios foi criada a partir desse modelo. Estudos sobre o crescimento alinhado de nanofios de ZnO em substrado de safira<110> foram realizados. Através desses estudos, foi medido diretamente pela primeira vez a epitaxia entre os nanofios e o substrato, no qual foi provado o alinhamento vertical e facial dos nanofios de ZnO sobre a safira.
local.publisher.initialsUFMG

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