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dc.contributor.advisor1Cristiano Fantini Leitept_BR
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/1966638146185479pt_BR
dc.contributor.advisor-co1Ariete Righipt_BR
dc.contributor.referee1Cristiano Fantini Leitept_BR
dc.contributor.referee2Leandro Malardpt_BR
dc.contributor.referee3Pedro Paulo de Mello Venezuelapt_BR
dc.contributor.referee4Hélio Chachampt_BR
dc.contributor.referee5Marcos Henrique Diniz Guimarãespt_BR
dc.creatorRafael Nunes Gontijopt_BR
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/5787587913285870pt_BR
dc.date.accessioned2021-04-19T10:18:24Z-
dc.date.issued2019-12-11-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/1843/35759-
dc.description.abstractOs materiais bidimensionais, caracterizados pela espessura atômica e baixa dimensionalidade ao longo do eixo z, são materiais que mostram grande promessa para o futuro, com grande potencial de aplicação em áreas como microeletrônica, sensores de gás, fotodetectores, catalisadores e outros. Dentre os materiais bidimensionais, podemos destacar a família dos dicalcogenetos de metais de transição, que são materiais lamelares cuja camada mais fina é formada de uma folha de um metal de transição localizada entre duas folhas de átomos da família dos calcogênios. Esses materiais possuem uma grande gama de propriedades eletrônicas, variando desde metálicos e semimetálicos até semicondutores com bandgap óptico no infravermelho e visível que pode ser direto ou indireto dependo do número de camadas. A presença do gap na região do visível e infravermelho próximo faz com que técnicas ópticas sejam de fundamental importância no estudo de propriedades físicas desses materiais. Entre essas técnicas destaca-se a espectroscopia Raman que é a medida da luz espalhada inelasticamente por um material devido à interação entre luz e a matéria, que cria ou aniquila um quanta de vibração. Quando a luz incidente ou espalhada está em ressonância com um nível eletrônico do material temos o fenômeno de espalhamento Raman ressonante, onde a eficiência do processo é extremamente amplificada, o que permite obter informações sobre os estados eletrônicos a partir das suas interações com os fônons, assim como observar o fenômeno de espalhamento por dois ou mais fônons do material. Neste trabalho, buscamos entender os processos de combinações de fônons no espectro Raman de Dicalcogenetos de metais de transição semicondutores, assim como os processos de interação éxciton-fônon nesses materiais. Para isso foram realizadas medidas de espalhamento Raman ressonante com variação da energia do laser de excitação e variação insitu da temperatura da amostra. Como técnica complementar foram realizadas também medidas de fotoluminescência com variação da temperatura da amostra. Foi mostrado como a variação de temperatura afeta a energia dos níveis eletrônicos e como essa variação pode sintonizar a ressonância dos processos de combinação de dois fônons. Mostramos também como a temperatura pode afetar a interação entre camadas em heteroestruturas formada pela combinação de dois Dicalcogenetos de metais de transição. Neste caso, foi possível observar a partir dos experimentos processos de interação éxciton-fônon e fônonfônon entre camadas. A partir desse trabalho, conseguimos extrair informações sobre as propriedades optoeletrônicas desses materiais, importantes para futuras aplicações tecnológicas.pt_BR
dc.description.resumoTwo-dimensional materials, characterized by their atomic thickness and low dimensionality along the axis, are materials that show great promise for the future, with great potential for application in areas such as microelectronics, gas sensors, photodetectors, catalysts, and others. Among the twodimensional materials, we can highlight the family of transition metal dichalcogenides, which are lamellar materials whose thinner layer is formed of a transition metal sheet sandwiched by two sheets of chalcogen. These materials have a wide range of properties, ranging from metallic and semi-metallic materials to semiconductors with an optical bandgap in infrared and visible regions that is temperaturedependent. Raman spectroscopy is the measurement of light inelastically scattered by a material due to the interaction between light, or laser, and matter, which generates or annihilates a quantum of vibration, a phonon, in the material and causes the incident photon to lose or gain energy. Due to the nature of the scattering process, the Raman process is inefficient, except when the energy of the laser used resonates with the material's electronic levels, increasing the likelihood that the Raman process will occur. When the laser resonates with the electronic level, however, the Raman process can involve more than one phonon, and the scattering of light by two phonons becomes more likely. In this context, there are selection rules that filter out possible phonon combinations for the Raman process, which must even depend on the temperature at which the measurement is made. In this work, we seek to understand the processes of phonon combinations in the Raman spectrum of semiconducting transition metal dichalcogenides, both as a function of the laser energy used and as a function of the sample temperature, in which we explore the laser resonances with the energy of the electronic transitions of each sample. We show how the temperature variation affects the energy of electronic levels and how this variation can tune the resonance of the two-phonon combination processes. We also show how temperature can affect the interaction between layers in the heterostructure formed by the combination of two transition metal dichalcogenides. From this work, we are able to extract information about the properties of these materials, which allow their applications in future technologies.pt_BR
dc.description.sponsorshipCNPq - Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológicopt_BR
dc.description.sponsorshipFAPEMIG - Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Minas Geraispt_BR
dc.description.sponsorshipCAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superiorpt_BR
dc.description.sponsorshipFINEP - Financiadora de Estudos e Projetos, Financiadora de Estudos e Projetospt_BR
dc.description.sponsorshipINCT – Instituto nacional de ciência e tecnologia (Antigo Instituto do Milênio)pt_BR
dc.languageengpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Geraispt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentICX - DEPARTAMENTO DE FÍSICApt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.publisher.initialsUFMGpt_BR
dc.rightsAcesso Restritopt_BR
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nd/3.0/pt/*
dc.subjectTransition metal dichalcogenidespt_BR
dc.subjectRaman spectroscopypt_BR
dc.subjectdouble-resonancept_BR
dc.subjecttemperaturept_BR
dc.titleProbing exciton-phonon coupling and two phonon processes in transition metal dichalcogenides by Resonance Raman scatteringpt_BR
dc.title.alternativeSondando o acoplamento elétron-fônon e processos de dois fônons em dicalcogenentos de metais de transiçãopt_BR
dc.typeTesept_BR
dc.description.embargo2020-12-11-
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0002-6335-483Xpt_BR
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