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http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9BTRG6| Tipo: | Dissertação de Mestrado |
| Título: | A barreira Schottky na interface Al:nGaAs preparada por MBE |
| Autor(es): | Vania Aguiar Moura |
| primer Tutor: | Wagner Nunes Rodrigues |
| primer miembro del tribunal : | Nivaldo Lucio Speziali |
| Segundo miembro del tribunal: | Helio Chacham |
| Tercer miembro del tribunal: | Gerald Weber |
| Resumen: | Este trabalho consiste no estudo do cráter dos estados responsáveis pela determinação da posição de EF na interface ("pinning") entre metal e o semicondutor. Para isso foram preparadas interfaces entre Al e nGaAs (100) crescidas por MBE, sendo a barreira Schottky determinada por medidas elétricas I(V), C(V) para diferentes temperaturas. Como a barreira Schottky mostra-se dependentecdas condições da interface foram feitas medidas de difração de raios-x para determinaçãoda orientação do filme de Al. O caráter dos estados responsáveis pelo "pinning" foi obtido da comparação entre os coeficientes de temperatura de 0B (determinado experimentalmente) e dos máximo e mínimo das bandas de valência e condução, respectivamente. Encontramos que a altura da barreira Schottky é independente da temperatura. Os resultados são discutidos dentro do contexto dos modelos atuais. |
| Abstract: | In onder to study mechanisms of Fermi levei pinnlg we haveprepared Intrerffiices belrween Al and nGaAs(100) by MBE .The Sahottkybarrier for different, sample t.emporatures is then obtained from I(V) andC(V). As the Schottky barrier is dependent, of interface conditions, wehave measured X-ray difraction of the Al film, in order to determine theAl film orietation . The character of pinning states has been interpreted in terms of the temperature coefficient of the band structure of semiconductor. We have observed that the Schottky barrier height is temperature independent and the results are discussed within the context of the current pinning model. |
| Asunto: | Schottky, Diodos de barreira de Epitaxia por feixe molecular Feixes moleculares Física |
| Idioma: | Português |
| Editor: | Universidade Federal de Minas Gerais |
| Sigla da Institución: | UFMG |
| Tipo de acceso: | Acesso Aberto |
| URI: | http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9BTRG6 |
| Fecha del documento: | 9-mar-1992 |
| Aparece en las colecciones: | Dissertações de Mestrado |
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