A barreira Schottky na interface Al:nGaAs preparada por MBE

Vania Aguiar Moura

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor1	Wagner Nunes Rodrigues	pt_BR
dc.contributor.referee1	Nivaldo Lucio Speziali	pt_BR
dc.contributor.referee2	Helio Chacham	pt_BR
dc.contributor.referee3	Gerald Weber	pt_BR
dc.creator	Vania Aguiar Moura	pt_BR
dc.date.accessioned	2019-08-14T07:20:57Z	-
dc.date.available	2019-08-14T07:20:57Z	-
dc.date.issued	1992-03-09	pt_BR
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9BTRG6	-
dc.description.abstract	In onder to study mechanisms of Fermi levei pinnlg we haveprepared Intrerffiices belrween Al and nGaAs(100) by MBE .The Sahottkybarrier for different, sample t.emporatures is then obtained from I(V) andC(V). As the Schottky barrier is dependent, of interface conditions, wehave measured X-ray difraction of the Al film, in order to determine theAl film orietation . The character of pinning states has been interpreted in terms of the temperature coefficient of the band structure of semiconductor. We have observed that the Schottky barrier height is temperature independent and the results are discussed within the context of the current pinning model.	pt_BR
dc.description.resumo	Este trabalho consiste no estudo do cráter dos estados responsáveis pela determinação da posição de EF na interface ("pinning") entre metal e o semicondutor. Para isso foram preparadas interfaces entre Al e nGaAs (100) crescidas por MBE, sendo a barreira Schottky determinada por medidas elétricas I(V), C(V) para diferentes temperaturas. Como a barreira Schottky mostra-se dependentecdas condições da interface foram feitas medidas de difração de raios-x para determinaçãoda orientação do filme de Al. O caráter dos estados responsáveis pelo "pinning" foi obtido da comparação entre os coeficientes de temperatura de 0B (determinado experimentalmente) e dos máximo e mínimo das bandas de valência e condução, respectivamente. Encontramos que a altura da barreira Schottky é independente da temperatura. Os resultados são discutidos dentro do contexto dos modelos atuais.	pt_BR
dc.language	Português	pt_BR
dc.publisher	Universidade Federal de Minas Gerais	pt_BR
dc.publisher.initials	UFMG	pt_BR
dc.rights	Acesso Aberto	pt_BR
dc.subject	Física	pt_BR
dc.subject.other	Schottky, Diodos de barreira de	pt_BR
dc.subject.other	Epitaxia por feixe molecular	pt_BR
dc.subject.other	Feixes moleculares	pt_BR
dc.subject.other	Física	pt_BR
dc.title	A barreira Schottky na interface Al:nGaAs preparada por MBE	pt_BR
dc.type	Dissertação de Mestrado	pt_BR
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