Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9HDNLT
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor1 | Franklin Massami Matinaga | pt_BR |
dc.contributor.advisor-co1 | Wagner Nunes Rodrigues | pt_BR |
dc.contributor.referee1 | Helio Chacham | pt_BR |
dc.contributor.referee2 | Bernardo Ruegger Almeida Neves | pt_BR |
dc.contributor.referee3 | Gustavo de Almeida Magalhaes Safar | pt_BR |
dc.creator | Rogerio Lucio de Almeida | pt_BR |
dc.date.accessioned | 2019-08-11T10:32:27Z | - |
dc.date.available | 2019-08-11T10:32:27Z | - |
dc.date.issued | 2001-03-19 | pt_BR |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9HDNLT | - |
dc.description.abstract | In this work we present an optical study of InAs quantum dots multilayers embedded in GaAs. These InAs/GaAs quantum-dots have been grown by molecular beam epitaxy. We analyzed the influence of the InAs coverage on the optical properties of InAs SADs by using Photoluminescence (PL) and Excitation Photoluminescence (PLE) techniques. Measurements of Atomic Force Microscope (AFM) were also carried out on the surfaces of the samples to acquire topological information about the quantum dots.Our results reveal that the sample with the InAs coverage around 2.1 ML of InAs (thickness in which occurs the transition of coherent growth to incoherent) presents a very narrow photoluminescence line from the quantum dots (13,7 meV). This line-width indicates a very narrow size distribution of the dots. The PLE measurements identified different contributions in the spectra coming from quantum dots and wetting layer. | pt_BR |
dc.description.resumo | Neste trabalho nós apresentamos um estudo óptico de multicamadas de pontos quânticos de InAs em matriz de GaAs. Estas amostras semicondutoras de InAs/GaAs com pontos quânticos foram crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE). Nós analisamos a influência da cobertura de InAs nas propriedades ópticas dos pontos quânticos formados por este material usando as técnicas de Fotoluminescência e Fotoluminescência de Excitação. Medidas de Microscopia de Força Atômica também foram feitas na amostra para obtermos informações topológicas das ilhas.Nossos resultados revelam que a amostra com uma espessura da cobertura em torno de 2.1 monocamadas de InAs (espessura que ocorre a transição de crescimento coerente para incoerente) apresenta uma linha muito estreita de Fotoluminescência do pontos quânticos (~ 13.7 meV). Isto indica uma estreita distribuição de tamanhos dos pontos quânticos na amostra. Através da Fotoluminescência de Excitação foi possível identificar nos espectros das contribuições devidas aos pontos quânticos e da camada de molhadura (Wetting Layer). | pt_BR |
dc.language | Português | pt_BR |
dc.publisher | Universidade Federal de Minas Gerais | pt_BR |
dc.publisher.initials | UFMG | pt_BR |
dc.rights | Acesso Aberto | pt_BR |
dc.subject | Espectroscopia óptica | pt_BR |
dc.subject.other | Análise espectral | pt_BR |
dc.subject.other | Física | pt_BR |
dc.title | Espectroscopia óptica de pontos quânticos de InAs auto-construídos em matriz de GaAs | pt_BR |
dc.type | Dissertação de Mestrado | pt_BR |
Appears in Collections: | Dissertações de Mestrado |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
ralmeida_diss.pdf | 2.14 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.