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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/1843/BUBD-9HDNLT
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dc.contributor.advisor1Franklin Massami Matinagapt_BR
dc.contributor.advisor-co1Wagner Nunes Rodriguespt_BR
dc.contributor.referee1Helio Chachampt_BR
dc.contributor.referee2Bernardo Ruegger Almeida Nevespt_BR
dc.contributor.referee3Gustavo de Almeida Magalhaes Safarpt_BR
dc.creatorRogerio Lucio de Almeidapt_BR
dc.date.accessioned2019-08-11T10:32:27Z-
dc.date.available2019-08-11T10:32:27Z-
dc.date.issued2001-03-19pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/1843/BUBD-9HDNLT-
dc.description.abstractIn this work we present an optical study of InAs quantum dots multilayers embedded in GaAs. These InAs/GaAs quantum-dots have been grown by molecular beam epitaxy. We analyzed the influence of the InAs coverage on the optical properties of InAs SADs by using Photoluminescence (PL) and Excitation Photoluminescence (PLE) techniques. Measurements of Atomic Force Microscope (AFM) were also carried out on the surfaces of the samples to acquire topological information about the quantum dots.Our results reveal that the sample with the InAs coverage around 2.1 ML of InAs (thickness in which occurs the transition of coherent growth to incoherent) presents a very narrow photoluminescence line from the quantum dots (13,7 meV). This line-width indicates a very narrow size distribution of the dots. The PLE measurements identified different contributions in the spectra coming from quantum dots and wetting layer.pt_BR
dc.description.resumoNeste trabalho nós apresentamos um estudo óptico de multicamadas de pontos quânticos de InAs em matriz de GaAs. Estas amostras semicondutoras de InAs/GaAs com pontos quânticos foram crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE). Nós analisamos a influência da cobertura de InAs nas propriedades ópticas dos pontos quânticos formados por este material usando as técnicas de Fotoluminescência e Fotoluminescência de Excitação. Medidas de Microscopia de Força Atômica também foram feitas na amostra para obtermos informações topológicas das ilhas.Nossos resultados revelam que a amostra com uma espessura da cobertura em torno de 2.1 monocamadas de InAs (espessura que ocorre a transição de crescimento coerente para incoerente) apresenta uma linha muito estreita de Fotoluminescência do pontos quânticos (~ 13.7 meV). Isto indica uma estreita distribuição de tamanhos dos pontos quânticos na amostra. Através da Fotoluminescência de Excitação foi possível identificar nos espectros das contribuições devidas aos pontos quânticos e da camada de molhadura (Wetting Layer).pt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Geraispt_BR
dc.publisher.initialsUFMGpt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectEspectroscopia ópticapt_BR
dc.subject.otherAnálise espectralpt_BR
dc.subject.otherFísicapt_BR
dc.titleEspectroscopia óptica de pontos quânticos de InAs auto-construídos em matriz de GaAspt_BR
dc.typeDissertação de Mestradopt_BR
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