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http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W9SHG| Tipo: | Dissertação de Mestrado |
| Título: | Semicondutores cerâmicos: um estudo estrutural de filmes espessos de CdS |
| Autor(es): | Deborah Reis Alvarenga |
| primer Tutor: | Wagner Nunes Rodrigues |
| primer miembro del tribunal : | Alfredo Gontijo de Oliveira |
| Segundo miembro del tribunal: | Nivaldo Lucio Speziali |
| Resumen: | Neste trabalho estudamos filmes espessos de Sulfeto de Cádmio (CdS) cerâmico. As amostras foram preparadas por serigrafia e sinterizadas, no ar e em atmosfera de nitrogênio, em temperaturas que variaram de 500 °C a 700 °C. Utilizamos a técnica de Difração de Raios-X (XRD) para obter informações sobre a composição química das amostras e para caracterizar estruturalmente os filmes de CdS. Analisando os difratogramas vimos que, a sinterização em ar resulta em filmes oxidados para temperaturas superiores à 600°C. Nas amostras sinterizadas em atmosfera de nitrogênio não se observa traço de oxidação em toda a faixa estudada. Todos os filmes são tensionados. Pelas posições dos picos medimos a deformação causada pela tensão no material. Dentro do erro experimental a mesma dependência com a temperatura de sinterização para a deformação, é observada para os parâmetros de rede a e c, ou seja a tensão é igualmente distribuída em todos os filmes. Diferentemente das amostras sinterizadas em ar, as amostras sinterizadas em atmosfera de nitrogênio apresentam o compertamento elástico esperado para o CdS. A tentativa de quantificar o tamanho de grão dos flimes cerâmicos não foi bem sucedida, porque que as contribuições de tamanho e microdeformação do grão para a largura de linha não são separáveis neste sistema. |
| Abstract: | In this work we studied thick films of CdS. The samples have been prepared by screen printing and sintering process in air and nitrogen, in the temperature range of 500 °C a 700 °C We used X-Ray Diffraction (XRD) to characterize the films. The films sintered in air present oxidation for temperatures higher than 600°C. The samples sintered in nitrogen do not present oxidation in the temperature range studied. All the films are strained. From the diffraction pick position we measured the strain induced by the stress in the films. The same temperature dependence, for the strain, was observed for the lattice parameters a and c, indicating an isotropic stress. The samples sintered in nitrogen presented the expected elastic behavior for CdS, but the samples sintered in air did not. The grain size could not be obtained from the line width of the diffraction peaks. In this system the grain size and the micro strain contributions to the line width are not independent. |
| Asunto: | Materiais cerâmicos Semicondutores Filmes espessos Sulfeto de cádmio Difração de Raio X |
| Idioma: | Português |
| Editor: | Universidade Federal de Minas Gerais |
| Sigla da Institución: | UFMG |
| Tipo de acceso: | Acesso Aberto |
| URI: | http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W9SHG |
| Fecha del documento: | 17-ago-2006 |
| Aparece en las colecciones: | Dissertações de Mestrado |
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