Semicondutores cerâmicos: um estudo estrutural de filmes espessos de CdS

Deborah Reis Alvarenga

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W9SHG

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor1	Wagner Nunes Rodrigues	pt_BR
dc.contributor.referee1	Alfredo Gontijo de Oliveira	pt_BR
dc.contributor.referee2	Nivaldo Lucio Speziali	pt_BR
dc.creator	Deborah Reis Alvarenga	pt_BR
dc.date.accessioned	2019-08-14T05:34:09Z	-
dc.date.available	2019-08-14T05:34:09Z	-
dc.date.issued	2006-08-17	pt_BR
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W9SHG	-
dc.description.abstract	In this work we studied thick films of CdS. The samples have been prepared by screen printing and sintering process in air and nitrogen, in the temperature range of 500 °C a 700 °C We used X-Ray Diffraction (XRD) to characterize the films. The films sintered in air present oxidation for temperatures higher than 600°C. The samples sintered in nitrogen do not present oxidation in the temperature range studied. All the films are strained. From the diffraction pick position we measured the strain induced by the stress in the films. The same temperature dependence, for the strain, was observed for the lattice parameters a and c, indicating an isotropic stress. The samples sintered in nitrogen presented the expected elastic behavior for CdS, but the samples sintered in air did not. The grain size could not be obtained from the line width of the diffraction peaks. In this system the grain size and the micro strain contributions to the line width are not independent.	pt_BR
dc.description.resumo	Neste trabalho estudamos filmes espessos de Sulfeto de Cádmio (CdS) cerâmico. As amostras foram preparadas por serigrafia e sinterizadas, no ar e em atmosfera de nitrogênio, em temperaturas que variaram de 500 °C a 700 °C. Utilizamos a técnica de Difração de Raios-X (XRD) para obter informações sobre a composição química das amostras e para caracterizar estruturalmente os filmes de CdS. Analisando os difratogramas vimos que, a sinterização em ar resulta em filmes oxidados para temperaturas superiores à 600°C. Nas amostras sinterizadas em atmosfera de nitrogênio não se observa traço de oxidação em toda a faixa estudada. Todos os filmes são tensionados. Pelas posições dos picos medimos a deformação causada pela tensão no material. Dentro do erro experimental a mesma dependência com a temperatura de sinterização para a deformação, é observada para os parâmetros de rede a e c, ou seja a tensão é igualmente distribuída em todos os filmes. Diferentemente das amostras sinterizadas em ar, as amostras sinterizadas em atmosfera de nitrogênio apresentam o compertamento elástico esperado para o CdS. A tentativa de quantificar o tamanho de grão dos flimes cerâmicos não foi bem sucedida, porque que as contribuições de tamanho e microdeformação do grão para a largura de linha não são separáveis neste sistema.	pt_BR
dc.language	Português	pt_BR
dc.publisher	Universidade Federal de Minas Gerais	pt_BR
dc.publisher.initials	UFMG	pt_BR
dc.rights	Acesso Aberto	pt_BR
dc.subject	Sulfeto de cadmio	pt_BR
dc.subject	Materiais cerâmicos	pt_BR
dc.subject	Semicondutores	pt_BR
dc.subject	Filmes espessos	pt_BR
dc.subject.other	Materiais cerâmicos	pt_BR
dc.subject.other	Semicondutores	pt_BR
dc.subject.other	Filmes espessos	pt_BR
dc.subject.other	Sulfeto de cádmio	pt_BR
dc.subject.other	Difração de Raio X	pt_BR
dc.title	Semicondutores cerâmicos: um estudo estrutural de filmes espessos de CdS	pt_BR
dc.type	Dissertação de Mestrado	pt_BR
Appears in Collections:	Dissertações de Mestrado

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
dis_debora_reis.pdf		829.04 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record