Bandas de energia dos semicondutores PbTe, PbSe e Pbs com modêlo de potencial a três parâmetros
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Editor
Universidade Federal de Minas Gerais
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Dissertação de mestrado
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Primeiro orientador
Membros da banca
Manoel Lopes de Siqueira
Ramayana Gazzinelli
Ramayana Gazzinelli
Resumo
Usando o método das ondas planas simetrizadas e um modêlo simples de potencial, a três parâmetros, que consiste de poços retangulares, envolvendo cada átomo e um potencial delta repulsivo, centrado nos núcleos, simulamos os semicondutores PbTe, PbSe e PbS. Os resultados para as bandas de energia estão em concordância com os dados experimentais. A mesma natureza para as transições nos três compostos é encontrada, em compatibilidade com a relação experimental entre elas e o parâmetro da rêde cristalina.
Abstract
Assunto
Fisica do estado solido, Semicondutores, Física
Palavras-chave
Física