Bandas de energia dos semicondutores PbTe, PbSe e Pbs com modêlo de potencial a três parâmetros

dc.creator	Nilton Penha Silva
dc.date.accessioned	2019-08-14T20:07:26Z
dc.date.accessioned	2025-09-09T00:16:16Z
dc.date.available	2019-08-14T20:07:26Z
dc.date.issued	1969-12-26
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/1843/BUOS-AAQNMJ
dc.language	Português
dc.publisher	Universidade Federal de Minas Gerais
dc.rights	Acesso Aberto
dc.subject	Fisica do estado solido
dc.subject	Semicondutores
dc.subject	Física
dc.subject.other	Física
dc.title	Bandas de energia dos semicondutores PbTe, PbSe e Pbs com modêlo de potencial a três parâmetros
dc.type	Dissertação de mestrado
local.contributor.advisor1	Dálvio Elísio Laborne e Valle
local.contributor.referee1	Manoel Lopes de Siqueira
local.contributor.referee1	Ramayana Gazzinelli
local.description.resumo	Usando o método das ondas planas simetrizadas e um modêlo simples de potencial, a três parâmetros, que consiste de poços retangulares, envolvendo cada átomo e um potencial delta repulsivo, centrado nos núcleos, simulamos os semicondutores PbTe, PbSe e PbS. Os resultados para as bandas de energia estão em concordância com os dados experimentais. A mesma natureza para as transições nos três compostos é encontrada, em compatibilidade com a relação experimental entre elas e o parâmetro da rêde cristalina.
local.publisher.initials	UFMG

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