Estudo da dinâmica de crescimento de nanofios autosustentados do grupo III-V sobre substratos GaAs(100) e GaAs(111)B a partir de técnicas correlatas e epitaxia por feixes moleculares
Carregando...
Arquivos
Data
Autor(es)
Título da Revista
ISSN da Revista
Título de Volume
Editor
Universidade Federal de Minas Gerais
Descrição
Tipo
Dissertação de mestrado
Título alternativo
Primeiro orientador
Membros da banca
Helio Chacham
Wagner Nunes Rodrigues
Wagner Nunes Rodrigues
Resumo
Neste trabalho, apresenta-se o estado da arte sobre o mecanismo de formação de nanofios semicondutores autosustentados, crescidos a partir de elementos da tabela periódica dos grupos III e V pela técnica de MBE. No primeiro capítulo, apresenta-se uma breve resenha das técnicas experimentais de crescimento de nanofios utilizadas. O segundo capítulo consta de uma descrição da morfologia, estrutura cristalina e composição química de nanofios de InP crescidos pela técnica de CBE e nanofios de InAs crescidos pela técnica de MBE. O terceiro capítulo é dedicado à formalização do modelo VLS e sua aplicação aos resultados experimentais do crescimento dos nanofios de InP. No quarto capítulo faz-se uma revisão do modelo de crescimento VLS induzido por difusão. Nessa etapa, também propõe-se uma generalização do modelo VLS-ID, incorporando o processo de interdifusão, onde átomos do material do substrato difundindo-se por suas monocamadas mais superficiais incorporam-se no nanofio. Ainda nesse capítulo serão apresentados os dados experimentais que mostram a presença de átomos de Ga em nanofios, composição química nominal de InAs e o fenômeno de interdifusão durante o crescimento dos mesmos. Além disso, obteve-se a partir do modelo proposto uma expressão para a dependência da fração molar de GaAs nos nanofios em função da temperatura de crescimento.
Abstract
S
Assunto
Semicondutores de arsenieto de índio, Nanofios, Dinâmica de crescimento, Semicondutores de arsenieto de gálio, Física
Palavras-chave
Arsenieto de gálio, Dinâmica de crescimento, Semicondutores, Arsenieto de índio, Crescimento de nanofios