Estudo da dinâmica de crescimento de nanofios autosustentados do grupo III-V sobre substratos GaAs(100) e GaAs(111)B a partir de técnicas correlatas e epitaxia por feixes moleculares

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dc.creatorJose Luis Gonzalez Arango
dc.date.accessioned2019-08-12T23:01:22Z
dc.date.accessioned2025-09-08T23:58:56Z
dc.date.available2019-08-12T23:01:22Z
dc.date.issued2008-08-13
dc.description.abstractS
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1843/IACO-7KVNEZ
dc.languagePortuguês
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Gerais
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectSemicondutores de arsenieto de índio
dc.subjectNanofios
dc.subjectDinâmica de crescimento
dc.subjectSemicondutores de arsenieto de gálio
dc.subjectFísica
dc.subject.otherArsenieto de gálio
dc.subject.otherDinâmica de crescimento
dc.subject.otherSemicondutores
dc.subject.otherArsenieto de índio
dc.subject.otherCrescimento de nanofios
dc.titleEstudo da dinâmica de crescimento de nanofios autosustentados do grupo III-V sobre substratos GaAs(100) e GaAs(111)B a partir de técnicas correlatas e epitaxia por feixes moleculares
dc.typeDissertação de mestrado
local.contributor.advisor-co1Marcus Vinicius Baeta Moreira
local.contributor.advisor1Juan Carlos Gonzalez Perez
local.contributor.referee1Helio Chacham
local.contributor.referee1Wagner Nunes Rodrigues
local.description.resumoNeste trabalho, apresenta-se o estado da arte sobre o mecanismo de formação de nanofios semicondutores autosustentados, crescidos a partir de elementos da tabela periódica dos grupos III e V pela técnica de MBE. No primeiro capítulo, apresenta-se uma breve resenha das técnicas experimentais de crescimento de nanofios utilizadas. O segundo capítulo consta de uma descrição da morfologia, estrutura cristalina e composição química de nanofios de InP crescidos pela técnica de CBE e nanofios de InAs crescidos pela técnica de MBE. O terceiro capítulo é dedicado à formalização do modelo VLS e sua aplicação aos resultados experimentais do crescimento dos nanofios de InP. No quarto capítulo faz-se uma revisão do modelo de crescimento VLS induzido por difusão. Nessa etapa, também propõe-se uma generalização do modelo VLS-ID, incorporando o processo de interdifusão, onde átomos do material do substrato difundindo-se por suas monocamadas mais superficiais incorporam-se no nanofio. Ainda nesse capítulo serão apresentados os dados experimentais que mostram a presença de átomos de Ga em nanofios, composição química nominal de InAs e o fenômeno de interdifusão durante o crescimento dos mesmos. Além disso, obteve-se a partir do modelo proposto uma expressão para a dependência da fração molar de GaAs nos nanofios em função da temperatura de crescimento.
local.publisher.initialsUFMG

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