Bipolaritons em uma microcavidade semicondutora
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Universidade Federal de Minas Gerais
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Tipo
Dissertação de mestrado
Título alternativo
Primeiro orientador
Membros da banca
Mario Sergio de Carvalho Mazzoni
Paulo Sérgio Soares Guimarães
Juan Carlos Gonzalez Perez
Paulo Sérgio Soares Guimarães
Juan Carlos Gonzalez Perez
Resumo
Nesta dissertação estudamos a emissão de bipolaritons em uma micricavidade semicondutora. Bipolaritons são formados pelo acoplamento forte entre fótons e biexcitons presentes no poço quântico de GaAs dentro da microcavidade. Através de medidas de fotoluminescência, foi possível mostrar que a emissão de bipolaritons acontece quando dessintonizamos a cavidade com relação a energia do éxciton. Pequenas larguras de linhas foram medidas, da ordem de 150 ?eV e alta intensidade de emissão. Através de medidas mudando-se a polarização do laser de bombeio, pudemos verificar as regras de seleção para ciração de biexcitons em poços quânticos.
Abstract
Assunto
Acoplamentos Fótons Biéxcitons, Bipolaritons, Microcavidade semicondutora, Arseneto de gálio, Física
Palavras-chave
Semicondutora, Física