Bipolaritons em uma microcavidade semicondutora

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dc.creatorLeandro Malard Moreira
dc.date.accessioned2019-08-11T03:14:23Z
dc.date.accessioned2025-09-09T01:03:23Z
dc.date.available2019-08-11T03:14:23Z
dc.date.issued2006-08-16
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1843/IACO-6W9PQ4
dc.languagePortuguês
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Gerais
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectAcoplamentos Fótons Biéxcitons
dc.subjectBipolaritons
dc.subjectMicrocavidade semicondutora
dc.subjectArseneto de gálio
dc.subjectFísica
dc.subject.otherSemicondutora
dc.subject.otherFísica
dc.titleBipolaritons em uma microcavidade semicondutora
dc.typeDissertação de mestrado
local.contributor.advisor1Franklin Massami Matinaga
local.contributor.referee1Mario Sergio de Carvalho Mazzoni
local.contributor.referee1Paulo Sérgio Soares Guimarães
local.contributor.referee1Juan Carlos Gonzalez Perez
local.description.resumoNesta dissertação estudamos a emissão de bipolaritons em uma micricavidade semicondutora. Bipolaritons são formados pelo acoplamento forte entre fótons e biexcitons presentes no poço quântico de GaAs dentro da microcavidade. Através de medidas de fotoluminescência, foi possível mostrar que a emissão de bipolaritons acontece quando dessintonizamos a cavidade com relação a energia do éxciton. Pequenas larguras de linhas foram medidas, da ordem de 150 ?eV e alta intensidade de emissão. Através de medidas mudando-se a polarização do laser de bombeio, pudemos verificar as regras de seleção para ciração de biexcitons em poços quânticos.
local.publisher.initialsUFMG

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