Estudo de nanoestruturas iônicas e semicondutoras por métodos de primeiros princípios
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Autor(es)
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Editor
Universidade Federal de Minas Gerais
Descrição
Tipo
Tese de doutorado
Título alternativo
Primeiro orientador
Membros da banca
Roberto Luiz Moreira
Mario Sergio de Carvalho Mazzoni
Alex Antonelli
Mario Sergio de Carvalho Mazzoni
Alex Antonelli
Resumo
Nesta tese, investigamos por métodos de primeiros princípios e tight binding, propriedades eletrônicas e estruturais de nanoestruturas iônicas e semicondutoras. Em nanoestruturas iônicas, estudamos a estabilidade energética do flúor intersticial, Fi¯ e da vacância do flúor, VF+, em super-redes de CaF2-BaF2. Além dessas nanoestruturas, investigamos possíveis estruturas de nanofios não-passivados de Si e de Ge com diâmetros variando entre 0,5 e 5,0nm. Consideramos nanofios não-passivados baseados na estrutura do diamante cúbico, em estruturas sólidas de altas densidades e em estruturas do tipo fulereno. Por fim, investigamos efeitos de passivação incompleta sobre propriedades eletrônicas de nanofios de Si, de Ge e de Si/Ge com superfícies passivadas com hidrogênio. Investigamos nanofios passivados com H com diâmetros entre 1,2 e 2,3nm, orientados ao longo das direções (110), (111) e (112) e com um simples defeito, vacância de H na superfície do nanofio, por uma célula unitária.
Abstract
Assunto
Nanofios, Nanoestruturas semicondutoras, Semicondutores, Nanoestruturas iônicas, Física
Palavras-chave
Estudo de nanoestruturas, Física