Estudo de nanoestruturas iônicas e semicondutoras por métodos de primeiros princípios

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dc.creatorRicardo Kagimura
dc.date.accessioned2019-08-14T01:54:39Z
dc.date.accessioned2025-09-09T00:04:06Z
dc.date.available2019-08-14T01:54:39Z
dc.date.issued2006-03-28
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1843/IACO-6WLQHA
dc.languagePortuguês
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Gerais
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectNanofios
dc.subjectNanoestruturas semicondutoras
dc.subjectSemicondutores
dc.subjectNanoestruturas iônicas
dc.subjectFísica
dc.subject.otherEstudo de nanoestruturas
dc.subject.otherFísica
dc.titleEstudo de nanoestruturas iônicas e semicondutoras por métodos de primeiros princípios
dc.typeTese de doutorado
local.contributor.advisor-co1Ricardo Wagner Nunes
local.contributor.advisor1Helio Chacham
local.contributor.referee1Roberto Luiz Moreira
local.contributor.referee1Mario Sergio de Carvalho Mazzoni
local.contributor.referee1Alex Antonelli
local.description.resumoNesta tese, investigamos por métodos de primeiros princípios e tight binding, propriedades eletrônicas e estruturais de nanoestruturas iônicas e semicondutoras. Em nanoestruturas iônicas, estudamos a estabilidade energética do flúor intersticial, Fi¯ e da vacância do flúor, VF+, em super-redes de CaF2-BaF2. Além dessas nanoestruturas, investigamos possíveis estruturas de nanofios não-passivados de Si e de Ge com diâmetros variando entre 0,5 e 5,0nm. Consideramos nanofios não-passivados baseados na estrutura do diamante cúbico, em estruturas sólidas de altas densidades e em estruturas do tipo fulereno. Por fim, investigamos efeitos de passivação incompleta sobre propriedades eletrônicas de nanofios de Si, de Ge e de Si/Ge com superfícies passivadas com hidrogênio. Investigamos nanofios passivados com H com diâmetros entre 1,2 e 2,3nm, orientados ao longo das direções (110), (111) e (112) e com um simples defeito, vacância de H na superfície do nanofio, por uma célula unitária.
local.publisher.initialsUFMG

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