Influence de méthodes PWM sur le cyclage thermique des semiconducteurs d'un onduleur sic triphasé 15kVA
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Universidade Federal de Minas Gerais
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Resumo
Cet article présente une étude de l'influence des
méthodes PWM sur la contrainte thermique appliquée aux
dispositifs semiconducteurs SiC utilisés dans un onduleur triphasé.
La variation des méthodes PWM impacte directement les pertes
instantanées de ces semiconducteurs, qui sont l'une des causes de
stress thermique, ce qui, à travers la dynamique thermique du
dispositif, provoque une variation non négligeable de la
température de jonction à la fréquence de la fondamental du
courant de sortie du convertisseur. Ce cyclage thermique peut
diminuer considérablement la vie utile de ces composants. Pour
déterminer les pertes dans les semiconducteurs il est nécessaire de
caractériser des dispositifs SiC dans le but de calculer la puissance
instantanée. La méthodologie de caractérisation des dispositifs, le
calcul de la puissance et de la température instantanée des puces
SiC ainsi que l’influence des différentes méthodes PWM seront
présentées. Les meilleures méthodes PWM seront ainsi choisies
dans le but d’augmenter la fiabilité des modules de puissance SiC
dans des onduleurs triphasés.
Abstract
Assunto
Semicondutores complementares de óxido metálico, Estatística não paramétrica, Teoria da aproximação
Palavras-chave
SiC, PWM, Estresse Termico, Méthodes PWM, Stress thermique, MOSFET SiC, Caractérisation
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