Influence de méthodes PWM sur le cyclage thermique des semiconducteurs d'un onduleur sic triphasé 15kVA

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dc.creatorBernardo Cougo
dc.creatorLenin Martins Ferreira Morais
dc.creatorRaphael Riva
dc.date.accessioned2025-04-14T15:53:56Z
dc.date.accessioned2025-09-08T23:16:01Z
dc.date.available2025-04-14T15:53:56Z
dc.date.issued2018
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/1843/81549
dc.languagefra
dc.publisherUniversidade Federal de Minas Gerais
dc.relation.ispartofSymposium de Génie Electrique (SGE 2018)
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectSemicondutores complementares de óxido metálico
dc.subjectEstatística não paramétrica
dc.subjectTeoria da aproximação
dc.subject.otherSiC
dc.subject.otherPWM
dc.subject.otherEstresse Termico
dc.subject.otherMéthodes PWM, Stress thermique, MOSFET SiC, Caractérisation
dc.titleInfluence de méthodes PWM sur le cyclage thermique des semiconducteurs d'un onduleur sic triphasé 15kVA
dc.typeArtigo de evento
local.description.resumoCet article présente une étude de l'influence des méthodes PWM sur la contrainte thermique appliquée aux dispositifs semiconducteurs SiC utilisés dans un onduleur triphasé. La variation des méthodes PWM impacte directement les pertes instantanées de ces semiconducteurs, qui sont l'une des causes de stress thermique, ce qui, à travers la dynamique thermique du dispositif, provoque une variation non négligeable de la température de jonction à la fréquence de la fondamental du courant de sortie du convertisseur. Ce cyclage thermique peut diminuer considérablement la vie utile de ces composants. Pour déterminer les pertes dans les semiconducteurs il est nécessaire de caractériser des dispositifs SiC dans le but de calculer la puissance instantanée. La méthodologie de caractérisation des dispositifs, le calcul de la puissance et de la température instantanée des puces SiC ainsi que l’influence des différentes méthodes PWM seront présentées. Les meilleures méthodes PWM seront ainsi choisies dans le but d’augmenter la fiabilité des modules de puissance SiC dans des onduleurs triphasés.
local.publisher.countryBrasil
local.publisher.departmentENG - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
local.publisher.departmentENG - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELETRÔNICA
local.publisher.initialsUFMG
local.url.externahttps://hal.science/hal-02981875/document

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