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metadata.dc.type: Dissertação de Mestrado
Title: Bandas de energia dos semicondutores PbTe, PbSe e Pbs com modêlo de potencial a três parâmetros
metadata.dc.creator: Nilton Penha Silva
metadata.dc.contributor.advisor1: Dálvio Elísio Laborne e Valle
metadata.dc.contributor.referee1: Manoel Lopes de Siqueira
metadata.dc.contributor.referee2: Ramayana Gazzinelli
metadata.dc.description.resumo: Usando o método das ondas planas simetrizadas e um modêlo simples de potencial, a três parâmetros, que consiste de poços retangulares, envolvendo cada átomo e um potencial delta repulsivo, centrado nos núcleos, simulamos os semicondutores PbTe, PbSe e PbS. Os resultados para as bandas de energia estão em concordância com os dados experimentais. A mesma natureza para as transições nos três compostos é encontrada, em compatibilidade com a relação experimental entre elas e o parâmetro da rêde cristalina.
metadata.dc.subject.other: Fisica do estado solido
Semicondutores
Física
metadata.dc.language: Português
Publisher: Universidade Federal de Minas Gerais
metadata.dc.publisher.initials: UFMG
metadata.dc.rights: Acesso Aberto
URI: http://hdl.handle.net/1843/BUOS-AAQNMJ
Issue Date: 26-Dec-1969
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